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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种抗CMAS腐蚀的高熵陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119330711B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411372324.8，技术领域涉及：C04B35/50；该发明授权一种抗CMAS腐蚀的高熵陶瓷材料及其制备方法是由尹冰冰;谢林颖;杨熠;张子豪;王鹏设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗CMAS腐蚀的高熵陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗CMAS腐蚀的高熵陶瓷材料及其制备方法，所述高熵陶瓷材料的化学式为YGdErDy21‑xYb2xZr2O7，其中0≤x1，其制备方法为：按高熵陶瓷材料的化学组成配取各氧化物原料，将氧化物原料进行第一次球磨获得混合粉末，混合粉末进行预烧获得预烧粉，预烧粉进行第二次球磨，获得预烧球磨粉，将预烧球磨粉造粒获得造粒粉，造粒粉压制成型获得生坯，生坯经烧结后即得高熵陶瓷材料。本发明所提供的高熵陶瓷材料具有优异的高温稳定性和抗CMAS腐蚀性能。

本发明授权一种抗CMAS腐蚀的高熵陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗CMAS腐蚀的高熵陶瓷材料的制备方法，其特征在于：按高熵陶瓷材料的化学组成配取各氧化物原料，将氧化物原料进行第一次球磨获得混合粉末，混合粉末进行预烧获得预烧粉，预烧粉进行第二次球磨，获得预烧球磨粉，将预烧球磨粉造粒获得造粒粉，造粒粉压制成型获得生坯，生坯经烧结后即得高熵陶瓷材料； 按高熵陶瓷材料的化学组成配取Y2O3粉末，Gd2O3粉末，Er2O3粉末，Dy2O3粉末，Yb2O3粉末，ZrO2粉末，所述Y2O3粉末，Gd2O3粉末，Er2O3粉末，Dy2O3粉末，Yb2O3粉末，ZrO2粉末的粒径均为50-100nm； 所述第一次球磨的转速为300-350rpm，第一次球磨的时间为10-12h； 第一次球磨完成后进行干燥，干燥完后进行研磨，得到混合粉末，所述干燥的温度为70-90℃，时间为6-10h； 所述第二次球磨的转速为450-500rpm，第二次球磨的时间为10-12h； 第二次球磨完成后进行干燥得到预烧球磨粉，所述干燥的温度为70-90℃，时间为6-10h； 所述造粒粉压制成型的过程为，先通过模压进行预成型，然后再经过冷等静压成型获得生坯，所述预成型的压力为10-20MPa，预成型的保压时间为5-7min，所述冷等静压成型的压力为200-220MPa，冷等静压成型的保压时间为5-7min； 所述高熵陶瓷材料的化学式为YGdErDy21-xYb2xZr2O7，其中0≤x1。

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