北京工业大学关宝璐获国家专利权
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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种用于气体或烟雾探测的激光器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119334906B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411471685.8，技术领域涉及：G01N21/41；该发明授权一种用于气体或烟雾探测的激光器及其制备方法和应用是由关宝璐;王宏卓;王济生;石占国设计研发完成，并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于气体或烟雾探测的激光器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电子技术和微机电系统技术领域，具体涉及一种用于气体或烟雾探测的激光器及其制备方法和应用。该激光器包括：光源部分；以及依次形成于所述光源部分上的中空牺牲层、上层DBR和控制电极，其中，所述中空牺牲层和所述上层DBR限定用于收集待测气体或烟雾的气体微腔，所述气体微腔的中心区域厚度基于所述控制电极施加的电压而改变，并且其中，所述激光器响应于由所述气体微腔收集到的所述待测气体或烟雾引起的所述气体微腔的平均折射率的变化而输出对应于所述待测气体或烟雾的浓度的波长。本发明提出的用于气体或烟雾探测的激光器至少具有高灵敏度、长寿命、快速响应、小型化、通用性强等优势。
本发明授权一种用于气体或烟雾探测的激光器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种用于气体或烟雾探测的激光器，其特征在于，包括： 光源部分，所述光源部分包括在GaAs衬底上依次生长的下层DBR、有源区、氧化限制层、中间DBR、钝化层；溅射在所述GaAs衬底的背面的第一电极以及溅射在所述钝化层上的第二电极，光刻胶旋涂在所述第二电极上，所述第二电极用于对所述激光器进行电流注入；以及 依次形成于所述光源部分上的中空牺牲层、上层DBR和控制电极， 其中，所述中空牺牲层和所述上层DBR限定用于收集待测气体或烟雾的气体微腔，所述气体微腔的中心区域厚度基于所述控制电极施加的电压而改变，并且 其中，所述激光器响应于由所述气体微腔收集到的所述待测气体或烟雾引起的所述气体微腔的平均折射率的变化而输出对应于所述待测气体或烟雾的浓度的波长，所述中空牺牲层是由所述光刻胶旋涂在所述光源部分上并被部分刻蚀后形成的；所述气体微腔的初始厚度取决于所述光刻胶的厚度，并且所述光刻胶的厚度基于所述光刻胶的稀释比例而改变。
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