和光晶能工业科技有限公司胡斌获国家专利权
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龙图腾网获悉和光晶能工业科技有限公司申请的专利激光芯片封装材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119390432B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411465314.9，技术领域涉及：C04B35/115；该发明授权激光芯片封装材料及其制备方法和应用是由胡斌;张伯文;徐真涛设计研发完成，并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本激光芯片封装材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请涉及照明技术领域，公开了一种激光芯片封装材料及其制备方法和应用。激光芯片封装材料包括以下重量份数的原料：粉料40～60份，烧结改性剂0.2～0.3份，烧结助剂7～8份，粘结剂15～25份，去离子水20～30份，分散剂1～2份，塑化剂0.6～1.2份，除泡剂0.2～0.6份；其中，所述粉料包括氧化铝空心球、Al2O3、Y2O3、CeO2、ZnO和ZrO2。氧化铝空心球与具有荧光作用的成分相配合，既可调节光的颜色，还可调节光的射出角度，有效提高了出光效率，且激光芯片可在大功率的条件下工作，可较好地应用于高杆照明等领域中。
本发明授权激光芯片封装材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种激光芯片封装材料，其特征在于，包括以下重量份数的原料： 粉料40~60份； 烧结改性剂0.2~0.3份； 烧结助剂7~8份； 粘结剂15~25份； 去离子水20~30份； 分散剂1~2份； 塑化剂0.6~1.2份； 除泡剂0.2~0.6份； 其中，所述粉料包括氧化铝空心球、Al2O3、Y2O3、CeO2、ZnO和ZrO2，且所述氧化铝空心球、Al2O3、Y2O3、CeO2、ZnO和ZrO2的重量比为58~82：10~12：5~8：0.05~0.15：0.04~0.07：0.20~0.30； 所述氧化铝空心球的粒径为0.2~5mm，堆积密度为0.5~1gcm3； Al2O3、Y2O3、CeO2、ZnO和ZrO2的粒径为0.1~2μm。
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