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龙图腾网获悉哈尔滨理工大学申请的专利基于变容二极管的元光栅漏波天线可调波束控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119397815B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411856038.9，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权基于变容二极管的元光栅漏波天线可调波束控制方法是由拉和设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于变容二极管的元光栅漏波天线可调波束控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于变容二极管的元光栅漏波天线可调波束控制方法，包括以下步骤：S1、对超光栅波束转换机制进行研究和分析；对各向异性、均匀、连续的周期边界条件下的平面超光栅机制进行研究；S2、依据超光栅进行Floquet‑Bloch定理的传输模式及优化设计；研究FB模式，并通过设计一种用于超光栅参数的工具来消除不良的FB模式；S3、对超光栅漏波天线进行分析与设计；在漏波天线框架内对合成超光栅的解析场和电流进行研究,以定制相位、波束形状和极化方面的性能；S4、对电调谐波束操控超光栅漏波天线设计与分析；本发明采用上述的基于变容二极管的元光栅漏波天线可调波束控制方法，采用简单结构的可调谐材料进行调谐的高效结构平台,为新一代高效特制光栅铺设了道路。

本发明授权基于变容二极管的元光栅漏波天线可调波束控制方法在权利要求书中公布了：1.基于变容二极管的元光栅漏波天线可调波束控制方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、对超光栅波束转换机制进行研究和分析； 对各向异性、均匀、连续的周期边界条件下的平面超光栅机制进行研究；利用周期性边界方便地处理任意单元结构的几何形状和材料参数，并极大地减小超光栅的尺寸，超光栅根据均匀等效表面阻抗得到精确表征； 对构成超光栅的标量电阻抗密度和磁导纳密度进行研究，并检验电阻抗密度和磁导纳密度作为负载阻抗和工作频率函数的性能；超光栅通过各向异性连续阻抗分为两种建模方式，两种建模方式分别为不透明超光栅或透明超光栅； 在第一种情况下，超光栅被表示为一个张量不透明电抗Xop，它将超光栅上界面的平均切向电场Et和磁场Ht联系起来，如下所示： ；1 其中符号表示z从上方趋近于0的极限，z垂直于超光栅，并假设存在时谐关系expjωt，不透明反应抗X_op是频率和表面波波矢Kt的函数；另一方面，各向异性透明超光栅使用透明反应抗X来定义，具体如下： ；2 其中J是在透明电抗中流动的平均电流，kt取决于不可忽略的不透明阻抗； 针对超磁场各物理量的表面波到传播波方法转换的研究；通过在不同半空间分离相同极化的入射平面波和表面波以实现传播平面波的工程传输； S2、依据超光栅进行Floquet-Bloch定理的传输模式及优化设计； 研究FB模式，并通过设计一种用于超光栅参数的工具来消除不良的FB模式； 通过表面波与周期性超光栅相互作用和具有相同幅度与周期的无限均匀周期性结构之间的局部匹配，研究将传播FB模式的数量与周期结构中不同超光栅的数量进行匹配； S3、对超光栅漏波天线进行分析与设计； 在漏波天线框架内对合成超光栅的解析场和电流进行研究,以定制相位、波束形状和极化方面的性能；研究超光栅漏波天线的设计考量，重点表征超光栅的阻抗特性，并描述所需的馈电系统； S4、对电调谐波束操控超光栅漏波天线设计与分析； 建立宽角度超光栅波束辐射场的分析模型,并进行深入研究；通过改变电感电容LC元件来控制辐射相位，从而控制辐射波束的指向角，设计并制作原型以用于X波段频率的工作； 研究波束控制的方法；控制漏波天线的相位以实现电扫描；通过添加可调节的基材，实现固定频率下的连续波束扫描，从而提供广泛的扫描角度，这些角度通过施加偏置电压来控制，同时保持恒定的特征阻抗，实现良好的匹配； 改变超光栅的相位以控制辐射方向。

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