上海大学陆文庆获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利伪自对准p型氮化镓栅高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421435B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411524657.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权伪自对准p型氮化镓栅高电子迁移率晶体管及其制备方法是由陆文庆;任开琳设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本伪自对准p型氮化镓栅高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种伪自对准p型氮化镓栅高电子迁移率晶体管及其制备方法，涉及晶体管技术领域，该方法选用已有的外延片、进行台面隔离、表面处理、刻蚀p‑GaN帽层以暴露接触区域、沉积钝化层、去除栅极区域掩模材料、蒸镀n型欧姆接触金属形成源极和漏极、以及蒸镀栅极接触金属，最终制备伪自对准p型氮化镓栅高电子迁移率晶体管。本申请在常规的高电子迁移率晶体管的基础上，在刻蚀完pGaN后，继续用掩模材料进行掩模，外延生长钝化层后通过掩模材料选择性剥离外延生长的钝化层，露出pGaN帽层从而实现栅极伪自对准。
本发明授权伪自对准p型氮化镓栅高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种伪自对准p型氮化镓栅高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 选用已形成衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和p-GaN帽层的外延片； 对所述已形成衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和p-GaN帽层的外延片进行台面隔离； 对完成台面隔离的器件进行表面处理； 使用掩模材料，对p-GaN帽层进行刻蚀，暴露出源和漏电极的接触区域； 在不去除或损伤栅极掩模材料的情况下，对器件进行表面处理； 在栅极掩模材料的基础上，通过PVD或CVD的方式沉积钝化层； 通过lift-off去除栅极区域的掩模材料； 采用电子束蒸发、热蒸镀或磁控溅射工艺，在漏电极和源电极区域窗口上蒸镀n型欧姆接触金属，并高温退火形成源极和漏极； 采用电子束蒸发、热蒸镀或磁控溅射工艺，在栅电极区域窗口上蒸发栅极接触金属，得到制备好的伪自对准p型氮化镓栅高电子迁移率晶体管。
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