华中科技大学诸葛福伟获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种边缘接触型场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421476B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411383349.8，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种边缘接触型场效应晶体管及其制备方法是由诸葛福伟;王金鹏;翟天佑设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种边缘接触型场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件相关技术领域，其公开了一种边缘接触型场效应晶体管及其制备方法，其中晶体管包括衬底层以及凸设在衬底层表面的栅极层，栅极层的上方设有沟道层，沟道层跨过栅极层具有位于栅极层正上方的沟道区域、位于栅极层相对两侧的两个电极区域以及连接在电极区域与沟道区域之间的上升区域，沟道层的材质为过渡金属硫族化合物，电极区域用于通过锂嵌入法进行诱导相变，以实现金属相和半导体相的边缘接触。本发明提出利用应力限位锂嵌入，利用栅极层与衬底层形成的台阶在沟道层内额外引入局域应力，从而将锂离子的扩散行为阻挡限位于应力存在位置即上升区域处，能实现更加锐利相转变界面的制备，且具有高一致性便于大规模集成。
本发明授权一种边缘接触型场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种边缘接触型场效应晶体管，其特征在于，包括衬底层以及凸设在所述衬底层表面的栅极层，所述栅极层的上方设有沟道层，所述沟道层跨过所述栅极层设置，使得所述沟道层具有位于所述栅极层正上方的沟道区域、位于所述栅极层相对两侧的两个电极区域以及连接在任一所述电极区域与所述沟道区域之间的上升区域，所述沟道层的材质为过渡金属硫族化合物，所述电极区域用于通过锂嵌入法进行诱导相变进而转变为金属相，以实现金属相和半导体相的边缘接触。
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