晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司金井升获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司申请的专利电池片的制作方法及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451270B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411506695.0，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权电池片的制作方法及太阳能电池是由金井升;崔巍;李香凝;刘长明设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本电池片的制作方法及太阳能电池在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种电池片的制作方法及太阳能电池，其中，电池片的制作方法包括：提供初始电池片；对初始电池片进行切割，以形成具有至少一个切割面的切片电池片；形成第一钝化层，第一钝化层至少覆盖部分切片电池片的切割面；形成第二钝化层，第二钝化层至少覆盖第一钝化层的表面；形成第三钝化层，第三钝化层至少覆盖第二钝化层的表面；形成第四钝化层，第四钝化层至少覆盖第三钝化层的表面；其中，第一钝化层的材料为半导体氧化物，第二钝化层的材料为金属半导体氧化物，第三钝化层和第四钝化层的材料为金属氧化物，第三钝化层的致密度大于第四钝化层，第三钝化层的厚度小于第四钝化层，可以兼顾电池效率与生产效率。
本发明授权电池片的制作方法及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种电池片的制作方法，其特征在于，包括： 提供初始电池片； 对所述初始电池片进行切割，以形成具有至少一个切割面的切片电池片； 形成第一钝化层，所述第一钝化层至少覆盖部分所述切片电池片的切割面； 形成第二钝化层，所述第二钝化层至少覆盖所述第一钝化层远离所述切片电池片的一侧表面； 形成第三钝化层，所述第三钝化层至少覆盖所述第二钝化层远离所述第一钝化层的一侧表面； 形成第四钝化层，所述第四钝化层至少覆盖所述第三钝化层远离所述第二钝化层的一侧表面； 其中，所述第一钝化层的材料为半导体氧化物，所述第二钝化层的材料为金属半导体氧化物，所述第三钝化层和所述第四钝化层的材料为金属氧化物，所述第三钝化层和所述第四钝化层采用不同工艺使得所述第三钝化层的致密度大于所述第四钝化层，所述第三钝化层的厚度小于所述第四钝化层。
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