福建省晋华集成电路有限公司冯立伟获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486131B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411585975.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由冯立伟设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，基底的周边区和单元中的绝缘结构的形状和面积均可不同，从而达到不同的隔绝效果，避免部分绝缘结构发生剥落。
本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括第一区、第二区及第三区； 形成第一环绕图案，所述第一环绕图案包括多个条状图案，所述条状图案在第一方向上延伸且横跨在所述第一区和所述第二区的基底上，且所述多个条状图案包括相连的一端部，所述相连的一端部还在所述第一方向上延伸至所述第三区的基底上； 形成介质层，所述介质层位于所述基底上并填入相邻所述第一环绕图案之间的间隙中； 形成硬掩模层，所述硬掩模层包括多个第二环绕图案，所述第二环绕图案位于所述第一区和所述第二区的所述介质层上，并与所述第一环绕图案交错，所述第二环绕图案包括在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的长轴和在所述第一方向上延伸的短轴； 形成阻挡层位于所述介质层和所述硬掩模层上，所述阻挡层内具有露出所述第二区的所述第二环绕图案的开口； 以所述阻挡层为掩膜，去除所述开口对应的所述第二环绕图案； 以剩余的所述硬掩模层为掩膜，去除部分所述介质层和所述第一环绕图案，以形成露出所述第一区和所述第二区的所述基底的凹槽； 形成绝缘层填入所述凹槽。
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