西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司靳凌翔获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利硅片抛光方法和硅片抛光设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119526238B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411801349.5,技术领域涉及:B24B29/02;该发明授权硅片抛光方法和硅片抛光设备是由靳凌翔设计研发完成,并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片抛光方法和硅片抛光设备在说明书摘要公布了:本申请提供了硅片抛光方法和硅片抛光设备,硅片抛光设备的模板组件包括薄膜基部和环部,所述环部自所述薄膜基部的边缘延伸以形成用于保持硅片的凹槽,所述环部设置有伸缩单元,所述方法包括:在所述硅片的抛光过程中,检测所述环部的磨损应力,以得到应力数据;在所述应力数据未处于目标数值范围内的情况下,调整所述伸缩单元的长度,以改变所述凹槽的深度。本申请通过监测环部的磨损应力并自动调整伸缩单元的长度,实现了TA尺寸的自动调节,提高了设备的自动化水平和稼动率,能够有效减少TA因磨损应力过大而导致的过度磨损,延长了TA的使用寿命。此外,自动调控TA尺寸,能够保障硅片边缘的去除量在合理水平,提升硅片的边缘平整度和产品质量。
本发明授权硅片抛光方法和硅片抛光设备在权利要求书中公布了:1.一种硅片抛光方法,其特征在于,硅片抛光设备的模板组件包括薄膜基部和环部,所述环部自所述薄膜基部的边缘延伸以形成用于保持硅片的凹槽,所述环部设置有伸缩单元,所述方法包括: 在所述硅片的抛光过程中,检测所述环部的磨损应力,以得到应力数据; 在所述应力数据未处于目标数值范围内的情况下,调整所述伸缩单元的长度,以改变所述凹槽的深度; 所述方法还包括:在对所述硅片进行抛光之前,利用边缘平整度自动化模型计算得到所述伸缩单元的目标长度;将所述伸缩单元的长度控制为所述目标长度;所述边缘平整度自动化模型的输入数据包括所述模板组件的尺寸数据、寿命数据以及所述硅片的目标边缘平整度数据; 所述方法还包括:接收所述硅片的实际边缘平整度数据;利用所述实际边缘平整度数据,更新所述边缘平整度自动化模型的模型参数。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司,其通讯地址为:710065 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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