复旦大学卢红亮获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种基于p-dipole材料Ga2O3的MOSCAP器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545816B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411490382.0，技术领域涉及：H10D1/66；该发明授权一种基于p-dipole材料Ga2O3的MOSCAP器件及其制备方法是由卢红亮;沈磊;朱小娜设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于p-dipole材料Ga2O3的MOSCAP器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于p‑dipole材料Ga2O3的MOSCAP器件及其制备方法；本发明首先通过热氧化法，在p‑Si衬底上生长SiO2界面层IL。通过原子层沉积技术在IL层上生长不同循环数的Ga2O3，并原位生长HfO2薄膜。接着，器件快速退火，以修复介质层间的氧化物缺陷。最后，制备出图形化的W电极，从而得到MOSCAP器件；本发明中，加入Ga2O3偶极子层后的MOSCAP器件表现出较低的回滞曲线，且仅增加了极低的等效氧化物厚度EOT，同时实现了显著的VFB正向调节。本发明证实了Ga2O3是一种具有潜力的新型p‑dipole材料，在先进工艺节点的多阈值技术发展中展现出广阔的应用前景。
本发明授权一种基于p-dipole材料Ga2O3的MOSCAP器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于p-dipole材料Ga2O3的MOSCAP器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1采用100晶向的p型掺杂Si作为衬底，在O2氛围下高温热氧化以生长高质量的SiO2界面层薄膜； 2在步骤1得到的SiO2薄膜表面，采用等离子增强原子层沉积PE-ALD生长一定厚度Ga2O3薄膜以形成偶极子层，再沉积HfO2薄膜； 3将步骤2得到的器件进行退火，以修复薄膜内部及薄膜间的氧化物缺陷； 4在步骤3得到的器件表面，通过紫外UV光刻图案化出接触电极区域，并通过电子束蒸发EBE、剥离liftoff工艺，在薄膜表面制备出相应的电极； 5对步骤4器件，采用氢氟酸溶液对器件背部进行湿法腐蚀，去除背部自然氧化层，并通过电子束蒸发EBE工艺生长一定厚度的背电极。
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