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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种基于二维WSe2晶体管的微型多功能人工神经元器件及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545833B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411516715.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种基于二维WSe2晶体管的微型多功能人工神经元器件及其制备方法和应用是由张骐;黄春晨;李馨设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于二维WSe2晶体管的微型多功能人工神经元器件及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于人工神经元器件领域，为了解决现有人工突出功能单一、制造过程复杂、无法适应规模生产的问题，本发明提出一种基于二维WSe2晶体管的微型多功能人工神经元器件的制备方法，包括以下步骤：制备单层少层二硫化硒薄沟道；蒸镀SeAu电极制作P型WSe2晶体管；蒸镀BiAu电极制作N型WSe2晶体管并采用CMOS结构连接；本发明还测试了制备的器件的电学性能及其激活函数输入输出曲线，并仿真其各项指标并得到仿真结果的准确率，证明本发明能应用于实现激活函数功能和人工突触功能。

本发明授权一种基于二维WSe2晶体管的微型多功能人工神经元器件及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于二维WSe2晶体管的微型多功能人工神经元器件的制备方法,其特征在于，包括以下步骤： S1获取由绝缘氧化硅层和重掺杂导电硅层组成的硅片，将WSe2薄膜转移到硅片中的绝缘氧化硅层上，作为沟道；所述WSe2薄膜由10层以下单层二维WSe2组成； S2在所述WSe2薄膜上制备两个相互平行的条状Au电极；其中，两个相互平行的条状Au电极分别作为P型WSe2晶体管的源极和漏极；得到包括P型WSe2晶体管的硅片； S3在所述WSe2薄膜上制备两个相互平行的条状BiAu电极；其中，两个相互平行的条状BiAu电极分别作为N型WSe2晶体管的源极和漏极；得到包括P型WSe2晶体管和N型WSe2晶体管的硅片；硅片中的重掺杂导电硅层同时作为P型WSe2晶体管和N型WSe2晶体管的共栅极；将所述P型WSe2晶体管的源极和N型WSe2晶体管的源极相互连接，构成共源极共栅极的结构； 步骤S2中，在所述WSe2薄膜上制备两个相互平行的条状Au电极，具体包括以下步骤：在所述WSe2薄膜上涂上光刻胶，通过紫外曝光、显影，得到两个相互平行的条状电极图案，依次蒸镀厚度为8-15nm的Se和40-100nm的Au，去胶处理后，通过真空干燥去除Se层，得到包括P型WSe2晶体管的硅片； 步骤S3中，在所述WSe2薄膜上制备两个相互平行的条状BiAu电极，具体包括以下步骤：在所述WSe2薄膜上涂上光刻胶，通过紫外曝光、显影，得到两个相互平行的条状电极图案，依次蒸镀厚度2-10nm的Bi层和厚度40-100nm的Au层，去胶处理后得到包括P型WSe2晶体管和N型WSe2晶体管的硅片。

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