无锡市华辰芯光半导体科技有限公司余小明获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡市华辰芯光半导体科技有限公司申请的专利一种带有阶梯应变层的半导体激光器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119582000B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411768759.4，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种带有阶梯应变层的半导体激光器结构是由余小明;李宁;魏明设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带有阶梯应变层的半导体激光器结构在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种带有阶梯应变层的半导体激光器结构，包括依次设置的接触层、P面限制层、P面波导层、有源层、N面波导层、N面限制层和缓冲层，缓冲层的材料为砷化镓，缓冲层和N面限制层之间设有若干第一应变层，第一应变层的材料为AlxGa1‑xInyP，其中，0x1，0y0.48，P面波导层和有源层之间设有第二应变层，第二应变层的材料为AlaGa1‑aInbP，其中，0a0.4，0b0.48。本申请具有改善激光器外延结构压应力大，导致翘曲严重的缺陷的效果。
本发明授权一种带有阶梯应变层的半导体激光器结构在权利要求书中公布了：1.一种带有阶梯应变层的半导体激光器结构，包括依次设置的接触层1、P面限制层2、P面波导层3、有源层5、N面波导层6、N面限制层7和缓冲层9，其特征在于：所述缓冲层9的材料为砷化镓，所述缓冲层9和N面限制层7之间设有3-10个第一应变层8，所述第一应变层8的材料为AlxGa1-xInyP，其中，0x1，0y0.48，所述第一应变层8的y取值呈线性变化，所述P面波导层3和有源层5之间设有第二应变层4，所述第二应变层4的材料为AlaGa1-aInbP，其中，0a0.4，0b0.48。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡市华辰芯光半导体科技有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市新吴区震泽路18-3号射手座A座5楼502室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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