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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种基于连续人工反铁磁材料的斯格明子存储器阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584548B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411490815.2，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权一种基于连续人工反铁磁材料的斯格明子存储器阵列是由杨美音;龚帅宇;李彦如;于沛玥;罗军;许静;崔岩设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于连续人工反铁磁材料的斯格明子存储器阵列在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于连续人工反铁磁材料的斯格明子存储器阵列，涉及随机存储器技术领域。其中基于连续人工反铁磁材料的斯格明子存储器阵列包括阵列自由层、顶隧穿层、下承压层与多个器件电极组，其中，每个器件电极组包括顶器件电极组件以及底器件电极；阵列自由层设置于顶隧穿层与下承压层之间构成信息存储层；器件电极组中的顶器件电极组件以及底器件电极分别设置于信息存储层的顶面以及底面，顶器件电极组件沿垂直于阵列自由层方向上的投影与底器件电极重合，以由顶器件电极组件内的隧道结参考层以及顶器件电极组件的投影覆盖范围内的阵列自由层与顶隧穿层构成一个能够进行二值存储的磁性隧道结。上述方案能提高磁随机存储器的器件集成密度。

本发明授权一种基于连续人工反铁磁材料的斯格明子存储器阵列在权利要求书中公布了：1.一种基于连续人工反铁磁材料的斯格明子存储器阵列，其特征在于，所述基于连续人工反铁磁材料的斯格明子存储器阵列包括阵列自由层、顶隧穿层、下承压层以及多个器件电极组，其中，每个所述器件电极组包括顶器件电极组件以及底器件电极，所述顶器件电极组件包括顶器件电极以及隧道结参考层； 所述阵列自由层设置于所述顶隧穿层与所述下承压层之间，构成信息存储层； 所述器件电极组中的所述顶器件电极组件以及所述底器件电极分别设置于所述信息存储层的顶面以及底面，所述顶器件电极组件沿垂直于所述阵列自由层方向上的投影与所述底器件电极重合，其中，所述顶器件电极的底面与所述隧道结参考层的顶面相接触，所述隧道结参考层的底面与所述顶隧穿层的顶面相接触，所述底器件电极的顶面与所述下承压层的底面相接触； 所述器件电极组中的所述隧道结参考层、所述器件电极组中的所述顶器件电极组件沿垂直于所述阵列自由层方向上的投影覆盖范围内的所述阵列自由层以及所述顶隧穿层构成一个能够进行二值存储的磁性隧道结。

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