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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种具有周期性复合型阳极的宽禁带功率二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584557B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411687037.6，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种具有周期性复合型阳极的宽禁带功率二极管是由孙伟锋;宋风雷;李胜;李明飞;刘斯扬设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有周期性复合型阳极的宽禁带功率二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有周期性复合型阳极的宽禁带功率二极管，自下而上包括：宽禁带半导体材料衬底层，第三阳极沟槽，宽禁带半导体材料外延层及其上的周期性第一阳极沟槽和第二阳极，第一阳极沟槽和宽禁带半导体材料外延层的上表面依次设有第一介质层和第二介质层，第二阳极沟槽和宽禁带半导体材料外延层的上表面设有第二介质层，第三阳极沟槽上设有第三介质层，宽禁带半导体材料外延层的上表面和宽禁带半导体材料衬底层下表面分别设有金属阳极和金属阴极。本发明得益于周期性复合型阳极结构，具有高电流密度、高击穿电压、低导通电阻和低反向漏电的性能优势。

本发明授权一种具有周期性复合型阳极的宽禁带功率二极管在权利要求书中公布了：1.一种具有周期性复合型阳极的宽禁带功率二极管，其特征在于，包括：宽禁带半导体材料衬底层1，所述宽禁带半导体材料衬底层1上设有宽禁带半导体材料外延层2和第三阳极沟槽10，所述宽禁带半导体材料外延层2内设有周期性的第一阳极沟槽8和第二阳极12，所述第一阳极沟槽8内设有第一介质层3，所述第一介质层3和部分宽禁带半导体材料外延层2表面以及第一阳极沟槽8侧壁上设有第二介质层4，所述第三阳极沟槽10上设有第三介质层5，所述宽禁带半导体材料外延层2上设有金属阳极6，所述宽禁带半导体材料衬底层1下表面设有金属阴极7；金属阳极6还填充第一阳极沟槽8； 所述第一阳极沟槽8的深度大于1um，所述第二阳极12为周期性的掩埋层11，所述掩埋层11是被介质包裹的金属，所述掩埋层11与金属阳极6具有相同的电位，所述第三阳极沟槽10的深度大于所述第一阳极沟槽8；掩埋层11位于相邻第一阳极沟槽8底部之间； 所述第一介质层3由Si3N4、Al2O3的耐高压钝化层材料或者HfO2、BaTiO3的高介电常数材料或者NiO的P型半导体材料制备，其厚度范围大于200nm；所述第二介质层4材质为Al2O3、SiO2材料中的一种或多种组合，与所述宽禁带半导体材料外延层2界面态密度小于等于5×1011cm-2，厚度范围为50nm-200nm； 所述金属阳极6与所述宽禁带半导体材料外延层2形成肖特基接触，为Pd、Ni、Pt、Au、W金属材料的一种或多种组合，所述金属阴极7与宽禁带半导体材料衬底层1形成欧姆接触，为Ti、Au、Al、Ni、Pt金属材料的一种或多种组合。

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