清华大学唐建石获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利用于提升铟镓锌氧化物薄膜晶体管迁移率的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584568B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411423000.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权用于提升铟镓锌氧化物薄膜晶体管迁移率的制备方法是由唐建石;杨慧敏;杜宜威;李怡均;高滨;钱鹤;吴华强设计研发完成，并于2024-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于提升铟镓锌氧化物薄膜晶体管迁移率的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及显示面板技术领域，特别涉及一种用于提升铟镓锌氧化物薄膜晶体管迁移率的制备方法，包括：在目标衬底上形成栅金属薄膜，并进行图形化，以获得背栅；在背栅上生成金属氧化物，并利用感应耦合等离子体将目标晶体管栅极上的金属氧化物进行刻蚀，以形成栅氧层；在栅氧层上生长铟镓锌氧化物作为有源层；在有源层上蒸镀源漏金属薄膜，并进行图形化，以获得漏源金属；通过光刻定义铟镓锌氧化物的沟道区域，并隔离沟道区域；利用磁控溅射工艺在漏源金属上生长钇金属，并对钇金属进行预设温度的退火处理，以获得覆盖层，从而制备出目标晶体管。由此，解决了现有提升IGZO迁移率方法影响晶体管原有性能，且不适用于显示领域和后道工艺等问题。
本发明授权用于提升铟镓锌氧化物薄膜晶体管迁移率的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于提升铟镓锌氧化物薄膜晶体管迁移率的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在目标衬底上形成栅金属薄膜，并对所述栅金属薄膜进行图形化，以获得图形化栅金属作为目标晶体管的背栅； 在所述背栅上生成金属氧化物，并利用感应耦合等离子体将所述目标晶体管栅极上的金属氧化物进行刻蚀，以形成所述目标晶体管的栅氧层； 在带栅极金属的栅氧层上生长铟镓锌氧化物，以将所述铟镓锌氧化物作为所述目标晶体管的有源层； 在所述有源层上蒸镀源漏金属薄膜，并对所述源漏金属薄膜进行图形化，以获得图形化源漏金属作为所述目标晶体管的漏源金属； 通过光刻定义所述铟镓锌氧化物的沟道区域，并利用湿法或干法刻蚀所述沟道区域外的铟镓锌氧化物，以隔离所述沟道区域； 利用磁控溅射工艺在所述漏源金属上生长钇金属，并对所述钇金属进行预设温度的退火处理，以获得所述目标晶体管的覆盖层。
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