电子科技大学蒋亚东获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于二硫化钼的非对称结构肖特基二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119603980B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411693107.9，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种基于二硫化钼的非对称结构肖特基二极管是由蒋亚东;马鼎晗;袁震;太惠玲;单晨;黄天铖;阳瑞霖;梅杰设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于二硫化钼的非对称结构肖特基二极管在说明书摘要公布了：本发明属于二极管结构设计、制备技术领域，具体提供一种基于二硫化钼的非对称结构肖特基二极管，用以解决现有二硫化钼肖特基二极管在同金属电极结构下单向导电性较差以及在不同金属电极结构下制备工艺复杂等问题。本发明在肖特基二极管设计中创造性的提出连续层状阶梯结构二硫化钼薄膜，其不同厚度区域具有不同的功函数，二硫化钼薄膜厚度最大处与金属薄膜形成欧姆接触，二硫化钼薄膜厚度最小处与金属薄膜形成肖特基接触，由此仅用一种金属和一种半导体材料同时构筑肖特基接触和欧姆接触，实现简化二极管器件结构和制备工艺的目标，并有效提升二极管器件的单向导电性。
本发明授权一种基于二硫化钼的非对称结构肖特基二极管在权利要求书中公布了：1.一种基于二硫化钼的非对称结构肖特基二极管，包括：硅片衬底1、二硫化钼薄膜2、第一金属薄膜电极3-1与第二金属薄膜电极3-2；其特征在于，所述二硫化钼薄膜采用连续层状阶梯结构，其厚度从一侧向另一侧呈阶梯状递减；所述二硫化钼薄膜设置于硅片衬底上，所述第一金属薄膜电极与第二金属薄膜电极设置于硅片衬底上且位于二硫化钼薄膜两侧，第一金属薄膜电极覆盖二硫化钼薄膜厚度最大一侧、且于接触面形成欧姆接触，第二金属薄膜电极覆盖二硫化钼薄膜厚度最小一侧、且于接触面形成肖特基接触。
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