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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利存储器系统及操作存储器系统的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119620921B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410039038.3，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权存储器系统及操作存储器系统的方法是由洪硕男;郭乃萍;刘建兴设计研发完成，并于2024-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器系统及操作存储器系统的方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种存储器系统和操作存储器系统的方法，存储器系统为基于具有高容量和或能够高效能的3DNAND快闪存储器的存储器系统。该存储器系统包含存储器平面，存储器平面各自包含平面核心及特定资源集。针对多个存储器平面中的每一存储器平面，技术提供指示对应存储器平面的特定资源集的忙碌状态或就绪状态的对应平面忙碌PRDY信号，及指示由对应存储器平面的平面核心使用的资源的操作中状态或闲置状态的对应平面操作中PIO#信号。基于多个PRDY信号及多个PIO#信号中的一个或多个的状态，选择性地允许或拒绝由控制器发布存储器命令以及执行针对多个存储器平面中的存储器平面的存储器命令。

本发明授权存储器系统及操作存储器系统的方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器系统，包括： 多个存储器平面，每一存储器平面包含对应特定资源集及平面核心，每一个存储器平面可操作以使用对应所述存储器平面的所述特定资源集及所述对应存储器平面的所述平面核心的资源中的至少一个来执行前台操作且使用所述对应存储器平面的所述平面核心的所述资源来执行后台操作；每一存储器平面的所述特定资源集为每一存储器平面的快取存储器或暂存器的集合；所述平面核心的资源用以使用对应存储器平面支援存储器操作； 输入输出IO界面，用以自寻址至所述多个存储器平面中的一个或多个存储器平面的主机接收存储器命令； 状态控制电路，产生对应于所述多个存储器平面中的每一存储器平面的状态位，所述状态位指示由所述对应存储器平面的前台操作使用的所述特定资源集的忙碌状态及就绪状态中的一个以及所述对应存储器平面的所述平面核心的所述资源的操作中状态及闲置状态中的一个；以及 控制电路，以可操作方式与所述IO界面、所述状态控制电路以及所述多个存储器平面耦接，以使用所述多个存储器平面执行存储器操作； 其中在使用所述多个存储器平面中的一个或多个存储器平面执行存储器操作时，所述控制电路在所述状态控制电路中产生对应于所述多个存储器平面中的每一存储器平面的多个状态位；且 其中所述控制电路响应于接收到的存储器命令与所述状态控制电路中的所述多个状态位的组合而执行或拒绝执行所述接收到的存储器命令的存储器操作，包含：执行或拒绝执行第一类型的存储器命令，其取决于所述多个存储器平面中的所有所述存储器平面的所述忙碌状态及所述就绪状态与所述操作中状态及所述闲置状态的组合；以及执行或拒绝执行寻址至特定存储器平面的第二类型的存储器命令，其仅与所述多个存储器平面中除所述特定存储器平面以外的存储器平面的所述忙碌状态及所述就绪状态与所述操作中状态及所述闲置状态的组合相关。

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