重庆邮电大学唐孝生获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种基于Cs2CuBiI6薄膜的自供电光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411671510.1，技术领域涉及：H10K30/10；该发明授权一种基于Cs2CuBiI6薄膜的自供电光电探测器及其制备方法是由唐孝生;黄磊;包常宏;陈威威设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于Cs2CuBiI6薄膜的自供电光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种基于Cs2CuBiI6薄膜的自供电光电探测器及其制备方法。其结构由玻璃衬底、PEDOT:PSS导电聚合物层、Cs2CuBiI6薄膜层、PC61BM薄膜层、BCP层以及银电极构成。本发明所述技术方案采用简单的制备方法实现了非铅Cs2CuBiI6薄膜薄膜的制备，克服了传统钙钛矿结构在不稳定性和铅毒性上的缺点，并且制备得到光电探测器具有响应速度快等优异的光电探测性能，对钙钛矿光探测器简化工艺简单、环境友好、进而走向实用化具有非常重要的意义。
本发明授权一种基于Cs2CuBiI6薄膜的自供电光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于Cs2CuBiI6薄膜的自供电光电探测器，包括衬底，其特征在于，衬底上依次设有PEDOT:PSS导电聚合物层、Cs2CuBiI6薄膜层、PC61BM薄膜层、BCP层以及银电极；所述Cs2CuBiI6制备方法为： 1按配比，将CsI、CuI、BiI3、氢碘酸及次磷酸混合，80℃温度条件下热处理至完全溶解； 2将完全溶解后的溶液4小时内逐渐升温至180-190ºC，保温2-4小时，然后将溶液4小时内降温至室温，再用4小时将溶液升温至180-190℃，保温2-4小时，72小时内将溶液从180ºC降温至100℃，再用72小时将溶液从100ºC降温至20℃，在20℃温度条件下保温4-6小时，过滤出合成的固体材料并用丙酮洗涤，得Cs2CuBiI6粉末。
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