中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司郭俊男获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利基于OLED显示的半导体器件结构、形成方法和显示器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698187B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311245532.7，技术领域涉及：H10K59/131；该发明授权基于OLED显示的半导体器件结构、形成方法和显示器件是由郭俊男设计研发完成，并于2023-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于OLED显示的半导体器件结构、形成方法和显示器件在说明书摘要公布了：本申请涉及基于OLED显示的半导体器件结构、形成方法和显示器件，该半导体器件结构包括衬底，衬底包括第一阱区和第二阱区，位于第一阱区上的第一传导结构和位于第二阱上的第二传导结构，第一传导结构和第二传导结构连接，位于第一阱区内的第一有源区，第一有源区包括源极区和漏极区，位于第二阱区内的第二有源区，第二有源区形成栅极。本申请实施例中通过以上器件结构增加了第二传导结构以及第二传导结构的传导过程，使得源极区和漏极区之间的导电沟道开启更得更困难，从而提高了亚阈值摆幅，进而增加了栅极电压的变化范围，使得补偿空间变得更大，从而实现提高最终产品的显示效果的目标。
本发明授权基于OLED显示的半导体器件结构、形成方法和显示器件在权利要求书中公布了：1.一种基于OLED显示的半导体器件结构，其特征在于，包括： 衬底；所述衬底包括第一阱区和第二阱区；所述第一阱区注入有第一掺杂离子，所述第二阱区注入有第二掺杂离子；所述第一掺杂离子和所述第二掺杂离子的导电类型不同； 位于所述第一阱区上的第一传导结构和位于所述第二阱区上的第二传导结构；所述第一传导结构和所述第二传导结构连接； 位于所述第一阱区内的第一有源区；所述第一有源区包括源极区和漏极区；所述源极区和所述漏极区注入有第三掺杂离子；所述源极区和所述漏极区分别位于所述第一传导结构的两侧； 位于所述第二阱区内的第二有源区；所述第二有源区包括第一掺杂区，所述第一掺杂区注入有第四掺杂离子，所述第一掺杂区形成栅极； 所述第二掺杂离子、所述第三掺杂离子和所述第四掺杂离子的导电类型相同。
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