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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于SRAM的双比特输入特征优化的DCIM电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119719019B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411788678.0，技术领域涉及：G06F15/78；该发明授权一种基于SRAM的双比特输入特征优化的DCIM电路是由朱晓雷;陈敬阳;马德;金孝飞设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SRAM的双比特输入特征优化的DCIM电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于SRAM的双比特输入特征优化的DCIM电路，属于电子电路技术领域。包括：具有支持对多组双比特数据进行特征优化的输入预处理模块、SRAM存算阵列、分裂加法器树、结果修正模块、无间断的累加器；将低稀疏度的输入数据反转以提高稀疏度，由此产生的计算错误将在后续修正。稀疏化后重组为两组具有更低的平均反转率的输入数据。通过特征优化可显著提高稀疏度并降低反转率。嵌入在SRAM存算阵列中每一个SRAM单元内的混合计算单元和分裂加法器树用于完成重组后输入数据与权重的乘加运算。无间断的累加器利用最少的周期完成累加。该电路旨在提升用于边缘AI设备的DCIM架构的运算能效和数据吞吐量。

本发明授权一种基于SRAM的双比特输入特征优化的DCIM电路在权利要求书中公布了：1.一种基于SRAM的双比特输入特征优化的DCIM电路，所述DCIM电路应用于神经网络输入数据和神经网络权重的乘加操作； 其特征在于，该DCIM电路采用双比特数据串行计算模型：具有支持对多组双比特数据进行特征优化的输入预处理模块、支持双比特并行计算的SRAM存算阵列和分裂加法器树、结果修正模块、以及无间断的累加器； 所述的输入预处理模块包括输入数据稀疏化模块和输入重组模块；输入数据稀疏化模块通过延时机制判断神经网络输入数据的稀疏度，并将低稀疏度的输入数据按位取反，高稀疏度的输入数据保持不变，并生成反转标志信号；输入重组模块将输入数据稀疏化模块处理后的双比特输入数据重组为平均反转率更低的左侧输入和右侧输入，并生成移位控制信号； 所述SRAM存算阵列中预先计算并存储有神经网络权重和权重之和，嵌入在SRAM存算阵列中每一个SRAM单元内的混合计算单元分别完成左侧输入、右侧输入与权重的点乘，得到两组部分积；根据移位控制信号对部分积进行移位操作；两组部分积分别由一分为二的分裂加法器树进行求和，得到两个部分和并由结果修正模块利用存储在SRAM存算阵列中的权重之和进行修正，计算得到修正后的中间和，再由无间断的累加器完成累加后输出最终乘加结果。

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