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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于ALCU模型与自适应AMV的伊辛机电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119724280B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411788675.7，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种基于ALCU模型与自适应AMV的伊辛机电路是由朱晓雷;陈敬阳;余志平设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于ALCU模型与自适应AMV的伊辛机电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于ALCU模型与自适应AMV的伊辛机电路，属于电子电路技术领域。该伊辛机电路具有多个相互连接的自旋单元，每个自旋单元包含一个存储自旋状态的SRAM、一个存储对应互连自旋单元相互作用系数和外磁场系数的SRAM阵列、一个自适应AMV电路和一个基于ALCU模型的自旋更新电路；AMV具有对称的采样电路和一个灵敏放大器SA，对自旋更新因子的正项和负项进行采样输出电压VCT和VCB，通过比较两者大小输出F0用于控制自旋更新。本发明可根据互连自旋单元的数量和系数的大小稳定输出电压差值，支持更多的互连自旋单元和更高的系数位宽，提升伊辛的收敛精度并降低硬件开销。

本发明授权一种基于ALCU模型与自适应AMV的伊辛机电路在权利要求书中公布了：1.一种基于ALCU模型与自适应AMV的伊辛机电路，其特征在于，所述伊辛机电路具有多个相互连接的自旋单元，每个自旋单元包含一个存储自旋状态的SRAM、一个存储对应互连自旋单元相互作用系数和外磁场系数的SRAM阵列、一个自适应AMV电路和一个基于ALCU模型的自旋更新电路； 存储对应互连自旋单元相互作用系数的SRAM阵列中包括XNOR和XOR逻辑单元，用于完成互连自旋单元的自旋状态与相互作用系数的同号或异号判断；所述的存储对应互连自旋单元相互作用系数和外磁场系数的SRAM阵列包含若干N位系数SRAM单元，在存储相互作用系数符号位的SRAM存储单元内部完成互连的自旋状态值与对应的相互作用系数符号位的XNOR和XOR逻辑运算，若逻辑运算的结果相同，输出异号判定信号，同号判定信号；若逻辑运算的结果不同，输出异号判定信号，同号判定信号；对于外磁场系数，为外磁场系数的符号位信号，为外磁场系数的符号位的反相信号；将判定信号和除符号位的其余位相互作用系数、外磁场系数输出至自适应AMV电路； 自适应AMV电路具有对称的采样电路和一个灵敏放大器，一对采样电路分别采样对应于自旋更新因子正项的同号系数、正的外磁场系数和对应于自旋更新因子负项的异号系数、负的外磁场系数，在采样电路中和均为低电平有效；灵敏放大器比较自旋更新因子的正项和负项的大小，产生自旋更新控制信号，所述自适应AMV电路能够对采样电路中上拉网络的等效电阻进行补偿； 获得自旋更新控制信号后，由基于ALCU模型的自旋更新电路控制自旋单元的状态更新。

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