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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种基于SISL的双向辐射阵列天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119726112B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411934534.1，技术领域涉及：H01Q1/52；该发明授权一种基于SISL的双向辐射阵列天线是由马凯学;刘瑞鹏;武依;闫宁宁;王勇强设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SISL的双向辐射阵列天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于SISL的双向辐射阵列天线，利用SISL传输线多层结构，同时具有上下层对称的特点，利用其中间层馈电结构同时激励上下层辐射结构实现双向辐射。其中，所述双向辐射阵列天线包括S1‑S7层，其中，S1层和S7层为阵列的辐射结构的隔离结构，用于抑制阵元之间的互耦；S2层和S6层为阵列的辐射结构；S3和S5层为阵列馈电网络的腔体结构，S4层为阵列。基于上述的方案可知，本发明利用SISL结构实现了一种高增益双向辐射阵列天线。可以在使用一层馈电网络的情况下实现前后双向辐射，其增益最大能够在工作带宽22‑32GHz范围内达到24.2dBi，同时阵列的最大辐射效率能达到78％。

本发明授权一种基于SISL的双向辐射阵列天线在权利要求书中公布了：1.一种基于SISL的双向辐射阵列天线，其特征在于，利用SISL传输线多层结构，同时具有上下层对称的特点，利用其中间层馈电结构同时激励上下层辐射结构实现双向辐射； 所述双向辐射阵列天线包括S1-S7层，其中，S1层和S7层为阵列的辐射结构的隔离结构，用于抑制阵元之间的互耦；S2层和S6层为阵列的辐射结构；S3和S5层为阵列馈电网络的腔体结构，S4层为阵列天线的馈电网络结构，激励信号馈入馈电网络后，分别激励阵列天线中顶层和底层的辐射结构实现双向辐射； 阵列辐射结构由64个阵元辐射结构组成，阵元辐射结构由上下层金属组成，上层金属结构有12个小的正方形贴片和两侧的长方形贴片组成，正方形贴片上通过金属化通孔连接至下层金属上，每个阵元的下层金属对应两个矩形缝隙，金属化通孔在矩形缝隙上下两侧； S3和S5层，每个小的腔体对应一个阵元； S4层是由1分64馈电网络和单元馈电结构组成，单元馈电是通过两条主传输线加载梯形枝节形成；S4层馈电结构的上下层金属结构为相同的结构，上下层金属通过金属化通孔连接。

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