南京大学徐伟高获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利二维半导体面内集成方法及器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730378B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411632516.8，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权二维半导体面内集成方法及器件是由徐伟高;张东旭;关宇飞;李华设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本二维半导体面内集成方法及器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维半导体面内集成方法及器件，该方法包括：提供第一二维单层材料，并将其置于目标基底上；将第二二维单层材料部分堆叠在第一二维单层材料上，形成包括堆叠区域和单层区域的范德华异质结；利用光子能量大于第一二维单层材料和或第二二维单层材料的发光带隙的激发光源，使范德华异质结进行选区光化学反应，使得堆叠区域的第二二维单层材料被选择性反应移除，以在同一平面内集成拼接第一二维单层材料和第二二维单层材料。本发明提供的二维半导体面内集成方法及器件，通过利用不同二维材料在堆叠区域和单层区域的电子态分布差异，结合光化学反应选择性移除堆叠区域的上层材料，实现了二维材料的面内拼接。
本发明授权二维半导体面内集成方法及器件在权利要求书中公布了：1.一种二维半导体面内集成方法，其特征在于，包括： 提供第一二维单层材料，并将其置于目标基底上； 将第二二维单层材料部分堆叠在所述第一二维单层材料上，形成包括堆叠区域和单层区域的范德华异质结； 利用光子能量大于所述第一二维单层材料和或第二二维单层材料的发光带隙的激发光源，使所述范德华异质结进行选区光化学反应，使得所述堆叠区域的第二二维单层材料被选择性反应移除，以在同一平面内集成拼接所述第一二维单层材料和第二二维单层材料。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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