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龙图腾网获悉中国科学院兰州化学物理研究所申请的专利一种氟醚橡胶表面电弧-离子源复合沉积碳基低摩擦薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119736595B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510002690.2，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种氟醚橡胶表面电弧-离子源复合沉积碳基低摩擦薄膜的方法是由张俊彦;张斌;高凯雄;杨攀峰设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氟醚橡胶表面电弧-离子源复合沉积碳基低摩擦薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种氟醚橡胶表面电弧‑离子源复合沉积碳基低摩擦薄膜的方法，先将氟醚橡胶基材放置真空室内，抽真空至预定值，依次利用电弧制备注入金属、沉积金属粘结层、氮化物承载层，最后利用磁过滤电弧和线性离子源沉积获得的硅掺杂的碳薄膜。

本发明授权一种氟醚橡胶表面电弧-离子源复合沉积碳基低摩擦薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种氟醚橡胶表面电弧-离子源复合沉积碳基低摩擦薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1先将氟醚橡胶基材放置在真空室内，抽真空至4×10-3Pa；真空室内安装有磁控溅射用Si靶、真空阴极电弧离子镀用Ti电弧靶以及阳极层线性离子源，真空阴极电弧离子镀用Ti电弧靶与真空室之间连接有弯曲型磁过滤管； 其中，磁控溅射用Si靶和真空阴极电弧离子镀用Ti电弧靶相对设置；弯曲型磁过滤管上靠近真空阴极电弧离子镀用Ti电弧靶的线圈电流为10~15A，中心磁场强度70~80Gs，靠近真空室的线圈电流为15~20A，中心磁场强度110~130Gs； 2先注入金属Ti，真空阴极电弧离子镀用Ti电弧靶电流55~65A，偏压900~950V，氩气流量100~110sccm，基材旋转速度3~4rmin，注入时间30~40min； 3开启磁控溅射用Si靶，调整真空阴极电弧离子镀用Ti电弧靶电流110~120A，磁控溅射用Si靶电流90~100A，沉积偏压70~80V，其他条件不变，沉积时间15~25min； 4保持其他条件不变，通入氮气100~110sccm，偏压45~55V，沉积60~75min； 5关闭真空阴极电弧离子镀用Ti电弧靶，调整磁控溅射用Si靶电流为75~85A；开启阳极层线性离子源，参数控制如下：电压900~1100V，电流3~5A，占空比80%；关闭氮气，通入乙炔200sccm，沉积90~100min。

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