深圳市安邦半导体有限公司;林慧敏林慧敏获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市安邦半导体有限公司;林慧敏申请的专利一种芯片式表面黏着二极管组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411770595.9，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权一种芯片式表面黏着二极管组件是由林慧敏;张成刚;张梓彤;吴宛儒;吴庭緯设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片式表面黏着二极管组件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片式表面黏着二极管组件，每一组件至少包含：一作为组件外接电极之一的正电极；一作为组件另一外接电极的负电极；一可加大组件负极面积兼具减薄效果及增加黏着效果的背面凹槽点组及或横向导通道；一利于组件对外连接及增加组件特性传导功能的金属层；一可缓冲撞击及保护组件的绝缘物质。当此组件之正负电极并列建构，并于其背面制作一组凹槽点及或横向导通道后再予以表面金属化及适当绝缘保护，此组件之电性将获得优化，绝缘黏着效果亦将更好，并可直接当作一完整组件使用。
本发明授权一种芯片式表面黏着二极管组件在权利要求书中公布了：1.一种芯片式表面黏着二极管组件，其特征在于，每一组件至少包含：K个正电极：K为组件之正电极个数，其台面即为该组件之外接正电极，K≧1；M个负电极：M为组件之负电极个数，其台面即为该组件之外接负电极，并与正电极并列建构，M≧0；一背面凹槽点组及或横向导通道；一金属层：位于正、负电极面及组件之背面；一绝缘物质保护层：在组件之背面，或正面； 其中，K＞M≧1，表示该组件内含有K个单向功能组件，且其中至少有二个单向组件共享一个共负电极，且正电极、共负电极并列建构； 其中该组件原正面预定之负电极从该组件背面制作一横向导通道，并从正面原预定之负电极内适当位置向下制作深度大于磊晶芯片之磊晶层厚度，或超过硅晶芯片之PN接面深度的上半导通道；及从组件背面制作一横向导通道，合组一半L型导通道，制作新负电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市安邦半导体有限公司;林慧敏，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙华区龙华街道富康社区东环二路65号中佳创意园C1栋1层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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