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龙图腾网获悉厦门大学;厦门新镓能半导体科技有限公司申请的专利一种p型栅结构常关型GaN HEMT器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815867B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411915530.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种p型栅结构常关型GaN HEMT器件及制备方法是由詹鸿儒;周斯加;杨伟锋设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种p型栅结构常关型GaN HEMT器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种p型栅结构常关型GaNHEMT器件及制备方法，包括依次生长的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、间隔层和势垒层；势垒层上方设有源极和漏极，源极和漏极之间设有第一凹槽；势垒层、源极、漏极和第一凹槽上方设有AlN层；AlN层上方设有第一CuCrO2层，AlN层、源极、第一CuCrO2层、漏极上方设有第一钝化层，第一钝化层和第一CuCrO2层上侧设有栅极凹槽；第一CuCrO2层上方设有第二CuCrO2层，第二CuCrO2层上方设有栅极；栅极上方设有第二钝化层；第二钝化层上方设有浮空场板；浮空场板上方设有第三钝化层；源极上方设有源极场板；漏极上方设有漏极互联层。本发明解决阈值电压低等问题。

本发明授权一种p型栅结构常关型GaN HEMT器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种p型栅结构常关型GaNHEMT器件，其特征在于，包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、间隔层、势垒层、源极、漏极、AlN层、第一CuCrO2层、第一钝化层、第二CuCrO2层、栅极、第二钝化层、浮空场板、第三钝化层、源极场板以及漏极互联层； 所述衬底、成核层、缓冲层、沟道层、间隔层和势垒层由下至上依次层叠设置； 所述势垒层的左侧设有源极凹槽，所述势垒层的右侧设有漏极凹槽，所述源极凹槽与漏极凹槽之间且靠近漏极凹槽的位置上设有第一凹槽； 所述源极位于源极凹槽上，所述漏极位于漏极凹槽上； 所述势垒层的左侧、间隔层的左侧、沟道层的左侧和缓冲层的左上侧设有左隔离槽，所述势垒层的右侧、间隔层的右侧、沟道层的右侧和缓冲层的右上侧设有右隔离槽； 所述AlN层位于势垒层、源极和漏极上，并在第一凹槽处形成第二凹槽； 所述第一CuCrO2层设于部分AlN层上方，并位于源极和漏极之间且靠近第二凹槽处； 所述第一钝化层覆盖于AlN层、源极、第一CuCrO2层、漏极和第二凹槽的上方； 所述第一钝化层的中部至第一CuCrO2层的上表面设有栅极凹槽； 所述第二CuCrO2层设于栅极凹槽正下方且位于第一CuCrO2层上侧中部； 所述栅极的下侧设于栅极凹槽内且位于第二CuCrO2层上方，所述栅极的上侧位于部分第一钝化层上方； 所述第二钝化层覆盖于第一钝化层和栅极上方； 所述浮空场板的下侧设于第二钝化层内且位于栅极的右方和第二凹槽的正上方，所述浮空场板的上侧位于部分第二钝化层的上方且位于栅极的正上方； 所述第三钝化层覆盖于第二钝化层和浮空场板上方； 所述AlN层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层中位于源极上方的区域开设有源极窗口，所述源极场板的下侧设于源极窗口内且其上侧位于部分第三钝化层上方； 所述AlN层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层中位于漏极上方的区域开设有漏极窗口，所述漏极互联层的下侧设于漏极窗口内且其上侧位于部分第三钝化层上方。

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