上海华虹宏力半导体制造有限公司谢中华获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利闪存测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119851743B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510010039.X，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权闪存测试方法是由谢中华设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存测试方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种闪存测试方法，该方法包括：提供闪存，对闪存的存储单元进行增强擦除，所述增强擦除是指在所述存储单元的字线上施加大于正常擦除电压VEE的增强擦除电压VEE′对所述存储单元进行擦除；擦除完成后，对闪存各存储单元进行写“1”操作测试；如果有存储单元写“1”操作失效，则剔除所述闪存。利用本申请方案，可以将有缺陷的闪存在良率测试阶段充分筛选出来，避免其流到终端用户，降低造成终端失效的可靠性风险。而且，通过该测试，可以进一步提高闪存的可靠性，避免闪存终端用户模式使用失效。
本发明授权闪存测试方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存测试方法，其特征在于，所述方法包括： 提供闪存，所述闪存包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括若干个呈矩阵排列的存储单元，所述存储单元为分栅式闪存单元；每个所述存储单元包括浮栅和位线；每列的所述存储单元共用所述位线； 对所述闪存的所述存储单元进行增强擦除，所述增强擦除是指在所述存储单元的字线上施加大于正常擦除电压VEE的增强擦除电压VEE′对所述存储单元进行擦除； 擦除完成后，对所述闪存各存储单元进行写“1”操作测试，所述写“1”操作是指在所述存储单元上施加电压，使所述存储单元不满足编程条件，沟道的电压不被打开，维持擦除后所述存储单元的存储位一直为“1”状态； 如果有存储单元写“1”操作失效，则剔除所述闪存。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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