北京超弦存储器研究院朱正勇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利存储器及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866013B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311364264.0，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权存储器及其制备方法、电子设备是由朱正勇;康卜文;赵超设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种存储器及其制备方法、电子设备。存储器包括：衬底；多条第一字线，沿着垂直衬底的第一方向延伸；多个存储单元，存储单元包括环绕第一字线外侧壁的第一栅极绝缘层；多条位线，沿着平行衬底的第三方向延伸且沿着第二方向间隔分布；第二方向和第三方向相交且均与第一方向垂直；多条参考信号线，沿着第一方向延伸；存储单元还包括覆盖参考信号线外侧壁的第二栅极绝缘层；第一栅极绝缘层与第二栅极绝缘层均包括铁电材料；多条第二字线，位于第二栅极绝缘层远离参考信号线的一侧，第二字线沿着第一方向延伸。采用本申请的存储器能够增加存储密度。
本发明授权存储器及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 衬底； 多条第一字线，沿着垂直所述衬底的第一方向延伸； 多个存储单元，所述存储单元包括环绕所述第一字线外侧壁的第一栅极绝缘层； 多条位线，沿着平行所述衬底的第三方向延伸且沿着第二方向间隔分布；所述第二方向和所述第三方向相交且均与所述第一方向垂直； 多条参考信号线，沿着所述第一方向延伸；所述存储单元还包括覆盖所述参考信号线外侧壁的第二栅极绝缘层；所述第一栅极绝缘层与所述第二栅极绝缘层均包括铁电材料； 多条第二字线，位于所述第二栅极绝缘层远离所述参考信号线的一侧，所述第二字线沿着所述第一方向延伸。
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