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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利优化膜层台阶厚度和平面厚度比值的晶圆镀膜装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119876881B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510317590.9，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权优化膜层台阶厚度和平面厚度比值的晶圆镀膜装置是由张超;张陈斌;丁聪;葛青涛;王世宽;宋永辉设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本优化膜层台阶厚度和平面厚度比值的晶圆镀膜装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种优化膜层台阶厚度和平面厚度比值的晶圆镀膜装置，包括工作腔、载台、靶材和准直器，镀膜过程中，靶材溅射出的金属原子能够穿过准直器、落到载台承接的晶圆上，准直器能够挡去部分金属原子，使得沉积到平面上的金属原子量减少；准直器包括上安装板、下安装板和金属波纹管，金属波纹的管壁呈波纹状，能够高效捕捉并固定金属原子，还能够承受一定的压力、并进行适应性弹性变形；上安装板和下安装板的间距可调，以便于根据工艺要求控制倾斜原子的通过量，从而降低晶圆表面膜层的平面厚度、改善膜层台阶厚度和平面厚度的比值、优化晶圆的镀膜效果。

本发明授权优化膜层台阶厚度和平面厚度比值的晶圆镀膜装置在权利要求书中公布了：1.一种优化膜层台阶厚度和平面厚度比值的晶圆镀膜装置，其特征在于，包括： 工作腔1，用于为晶圆镀膜提供空间； 载台，设于所述工作腔1内，用于承接晶圆； 靶材2，设于所述工作腔1内、并悬于所述载台上方； 准直器，设于所述工作腔1内、并位于所述靶材2和所述载台之间； 镀膜过程中，所述靶材2溅射出的金属原子能够穿过所述准直器、落到所述载台承接的晶圆上； 所述准直器包括： 上安装板110和下安装板120，所述上安装板110和所述下安装板120上均设有多个穿孔111，所述上安装板110上的穿孔111与所述下安装板120上的穿孔111一一对应； 多组金属波纹管130，设于所述上安装板110和所述下安装板120之间； 任一所述金属波纹管130沿竖直方向延伸设置，并连通所述上安装板110和所述下安装板120上对应的一对所述穿孔111； 镀膜过程中，金属原子进入所述金属波纹管130，其中部分倾斜运动的所述金属原子被所述金属波纹管130所挡，使得沉积到平面上的金属原子量减少； 其中，所述上安装板110和所述下安装板120的间距可调，所述金属波纹管130能够通过弹性形变适应所述上安装板110和所述下安装板120的间距变化； 通过调整所述上安装板110和所述下安装板120的间距，能够改变所述准直器对金属原子的遮挡范围，从而增加或者减少允许通过所述准直器的金属原子量。

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