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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种棱柱型TRISO颗粒弥散增材燃料元件及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119889750B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510049308.3，技术领域涉及：G21C21/02；该发明授权一种棱柱型TRISO颗粒弥散增材燃料元件及其制备方法和应用是由卫冲;许玉玲设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种棱柱型TRISO颗粒弥散增材燃料元件及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种棱柱型TRISO颗粒弥散增材燃料元件及其制备方法和应用，涉及核燃料技术领域。所述方法包括采用粘结剂喷射成型工艺或光固化成型工艺制备SiC壳体；对SiC壳体进行脱脂处理；对脱脂处理后的SiC壳体进行化学气相渗透法预处理；向预处理的SiC壳体内填充模拟TRISO颗粒以及SiC基体粉末，并采用高固含量SiC浆泥进行封装，随后采用增强化学气相渗透法对干燥后的增材SiC元件进行致密化即得棱柱型TRISO颗粒弥散增材燃料元件。本发明结合了固有安全性较高的TRISO燃料颗粒以及具有优秀耐高温、辐照性能的核级SiC陶瓷材料的特点，配合增材制造工艺，以提高设计的灵活性和可拓展性，在高温气冷堆中具有较大的应用潜力。

本发明授权一种棱柱型TRISO颗粒弥散增材燃料元件及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种棱柱型TRISO颗粒弥散增材燃料元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用粘结剂喷射成型工艺或光固化成型工艺制备SiC壳体；其中，所述SiC壳体为棱柱型壳体，且内部为空腔结构； 对SiC壳体进行脱脂处理； 对脱脂处理后的SiC壳体进行化学气相渗透法预处理； 向预处理的SiC壳体内填充模拟TRISO颗粒以及SiC基体粉末，并采用SiC泥浆封装端口，随即在80℃下干燥10-20h后采用增强化学气相渗透法对干燥后的增材SiC元件进行致密化，以三氯甲基硅烷为源气体，氢气为载气，氢气和氩气为稀释气体，其中，氢气与三氯甲基硅烷的摩尔比为11-8:1，沉积温度控制在1000-1200℃，所述载气氢气流量为3-5Lmin，所述稀释气体氢气流量为1-3Lmin，所述稀释气体氩气的流量为3-6Lmin，沉积压力3-10kPa、沉积时间96-120h，即得棱柱型TRISO颗粒弥散增材燃料元件； 所述脱脂处理时，包括：升温速率为1-3℃min，达到500-600℃后保温1-3h，降温速率为3-5℃min； 对脱脂处理后的SiC壳体进行化学气相渗透法预处理，包括： 以三氯甲基硅烷为源气体，氢气为载气，氢气和氩气为稀释气体，其中氢气与三氯甲基硅烷的摩尔比为11-9:1，沉积温度控制在900-1080℃，所述载气氢气流量为2-4Lmin，所述稀释气体氢气流量为1-2Lmin，所述稀释气体氩气的流量为3-4Lmin，沉积压力为2-5kPa，沉积时间20-50h； 制得的致密度的SiC壳体密度为60-70%； 向预处理的SiC壳体内填充模拟TRISO颗粒以及SiC基体粉末时，所述模拟TRISO颗粒与SiC基体粉末的体积比5.5:4.5； SiC泥浆中的碳化硅粉末与去离子水质量比为4-9:1。

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