中国科学院半导体研究所郝宏玥获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种平面型红外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411973631.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种平面型红外探测器及其制备方法是由郝宏玥;牛智川;张世豪;徐应强;吴东海;蒋洞微;倪海桥;王欣;苏向斌设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种平面型红外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种平面型红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括衬底以及衬底上依次生长的缓冲层、N型掺杂接触层、超晶格吸收层和本征接触层，由此形成叠层结构；还包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于本征接触层上形成的扩散区域内，所述第二电极位于N型掺杂接触层上形成的凹陷区域内。本发明通过在本征接触层中进行P型扩散形成光电响应通道，由此形成平面型PN结，能够消除探测器的侧壁漏电流，并提高光子注入效率。此外，相较于传统的台面型探测器，本发明减少了钝化处理工艺，有效降低了生产成本，提高了产品良品率。
本发明授权一种平面型红外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种平面型红外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在衬底上依次生长缓冲层、N型掺杂接触层、超晶格吸收层和本征接触层，由此形成叠层结构，得到第一器件； S2、在第一器件远离衬底的表面制备扩散选择层，而后在扩散选择层上刻蚀形成扩散窗口，得到第二器件； S3、在第二器件上的扩散窗口处生长扩散层，并在扩散层上生长扩散保护层，得到第三器件； S4、对第三器件进行快速退火处理，随后去除扩散保护层、扩散层和扩散选择层，在本征接触层上形成P型扩散区域，得到第四器件； S5、在第四器件远离衬底的表面进行刻蚀，在N型掺杂接触层上形成凹陷区域，得到暴露N型掺杂接触层的第五器件； S6、在第五器件远离衬底的表面制备第一电极和第二电极，得到红外探测器，其中第一电极位于N型掺杂接触层上的凹陷区域内，第二电极位于本征接触层上的扩散区域内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院半导体研究所，其通讯地址为：100083 北京市海淀区清华东路甲35号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励