上海积塔半导体有限公司陈杉获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利改善光刻胶层形貌的方法以及半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119916646B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510073735.5，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权改善光刻胶层形貌的方法以及半导体器件的制备方法是由陈杉设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善光刻胶层形貌的方法以及半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种改善光刻胶层形貌的方法以及半导体器件的制备方法，在面临需要特定增厚的光刻胶层的工艺中，选择涂双层光刻胶的方法，利用第一光刻胶层和第二光刻胶层具有的不同折光率n和吸光率k的性质，以及通过合理控制第一光刻胶层和第二光刻胶层的厚度，使得经过曝光和显影处理之后的形成的第一沟槽的侧面形貌变得更为垂直，减小CD白边，解决了光刻过程中光刻胶层增厚的要求并能够减少第一沟槽的底部光刻胶残留的问题，从而更加有利于后续的刻蚀工艺，同时，第一光刻胶层和第二光刻胶层允许在光刻过程中使用不同性质的光刻胶，从而能够适应不同工艺的要求，为后续刻蚀工艺奠定基础，进而提升形成的器件的质量和稳定性。
本发明授权改善光刻胶层形貌的方法以及半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制备半导体结构过程中改善光刻胶层形貌的方法，其特征在于，所述改善光刻胶层形貌的方法包括以下步骤： 提供一衬底，于所述衬底上旋涂第一光刻胶并对所述第一光刻胶进行第一次前烘以形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶为负性光刻胶； 于所述第一光刻胶层上旋涂第二光刻胶并对所述第二光刻胶进行第二次前烘以形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶为正性光刻胶，所述第一光刻胶层的厚度与所述第二光刻胶层的厚度比为1:10~1:20； 于所述第二光刻胶层上放置第一掩膜版，对所述第二光刻胶层进行精准曝光和显影形成第一沟槽； 对所述第一沟槽底部的对所述第二光刻胶层以及显露出的所述第一光刻胶层继续进行显影处理，去除所述第一沟槽底部残留的所述第二光刻胶以及去除所述第一沟槽底部正下方的所述第一光刻胶。
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