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龙图腾网获悉中国科学院高能物理研究所申请的专利一种包含半框形并联式超导电极结构的TES探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119935317B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510155018.7，技术领域涉及：G01J5/20；该发明授权一种包含半框形并联式超导电极结构的TES探测器是由闫代康;李浩宇设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种包含半框形并联式超导电极结构的TES探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种包含半框形并联式超导电极结构的TES探测器，属于超导电子学技术领域。所述探测器通过在铝锰合金薄膜表面布置超导转变温度更高的半框形铌引线，从而改变偏置条件下薄膜内部的电流分布，并显著降低薄膜的常态电阻。通过调节半框形电极的数量、间距和尺寸，可以灵活控制薄膜的电阻，优化探测器的尺寸和热导特性，使其满足不同应用需求。本发明显著改进了铝锰合金超导转变边沿探测器的性能，使其在相关领域的应用更加高效，同时为阵列探测器的灵活设计和热导优化提供了新的可能性。

本发明授权一种包含半框形并联式超导电极结构的TES探测器在权利要求书中公布了：1.一种包含半框形并联式超导电极结构的TES探测器，其特征在于，包括半框形电极TES薄膜、半框形电极TES引出导线、半框形电极TES初级电极、半框形电极，其中， 所述半框形电极TES薄膜采用铝锰合金TES薄膜，超导转变温度为0K到1K； 所述半框形电极TES引出导线位于所述半框形电极TES薄膜外侧； 所述半框形电极TES初级电极位于所述半框形电极TES薄膜的上表面或下表面； 所述半框形电极TES初级电极、半框形电极均为L型，所述半框形电极的转变温度高于半框形电极TES薄膜的转变温度，用于改变偏置条件下半框形电极TES薄膜内部的电流分布，使得半框形电极TES薄膜的电阻产生并联效果； 所述半框形电极TES引出导线包括框形电极TES左端引出导线和半框形电极TES右端引出导线，所述半框形电极TES初级电极包括半框形电极TES左端初级电极、半框形电极TES右端初级电极，所述半框形电极包括左端半框形电极、右端半框形电极； 所述半框形电极TES左端引出导线连接半框形电极TES左端初级电极的首端，所述半框形电极TES右端引出导线连接半框形电极TES右端初级电极的首端，所述半框形电极TES左端初级电极的尾端连接左端半框形电极的首端，所述半框形电极TES右端初级电极的首端连接右端半框形电极的首端。

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