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龙图腾网获悉中山大学申请的专利基于氮化硼闪烁屏的伽马射线抑制中子成像系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119936961B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510113657.7，技术领域涉及：G01T3/06；该发明授权基于氮化硼闪烁屏的伽马射线抑制中子成像系统是由郑伟;朱思琪设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于氮化硼闪烁屏的伽马射线抑制中子成像系统在说明书摘要公布了：本发明涉及中子成像技术领域，公开了基于氮化硼闪烁屏的伽马射线抑制中子成像系统及其应用，所述中子成像系统包括氮化硼闪烁屏、光路系统、以及相机，所述氮化硼闪烁屏位于光路系统前方，并安装在中子入射窗的位置，所述光路系统与相机连接，所述光路系统根据高通量中子束流源、低通量中子束流源以及远距离中子成像设置有不同的光路单元，所述相机用于接收所述光路系统处理后的闪烁光并记录光子信息。本发明的中子成像系统能够减少伽马射线引起的背景信号，从而提高了信噪比，使得到的图像更加清晰，减少了噪声和伪影，提高了图像的成像质量和检测准确性，在高能物理实验和工业检测领域具有重要的应用潜力。

本发明授权基于氮化硼闪烁屏的伽马射线抑制中子成像系统在权利要求书中公布了：1.基于氮化硼闪烁屏的伽马射线抑制中子成像系统，其特征在于，包括氮化硼闪烁屏1、光路系统2、以及相机3，所述氮化硼闪烁屏1位于光路系统2前方，并安装在中子入射窗的位置，所述光路系统2与相机3连接，其中： 所述氮化硼闪烁屏1用于吸收中子束流，并利用其轻元素组成抑制伽马射线干扰，以及在中子激发下产生闪烁光；其中， 所述氮化硼闪烁屏1的氮化硼材料是以碳化硅单晶为衬底，使用NH3和BCl3、或NH3和BF3作为原料气体，采用高温化学气相沉积法进行外延生长制得的； 所述光路系统2用于传输氮化硼闪烁屏1在中子激发下产生闪烁光并投影至相机3，所述光路系统2根据高通量中子束流源、低通量中子束流源以及远距离中子成像设置有不同的光路单元； 所述相机3用于接收所述光路系统2处理后的闪烁光并记录光子信息； 所述氮化硼闪烁屏由以下制备方法制得，所述制备方法包括以下步骤： S1、将碳化硅单晶衬底用石墨夹具固定后放入化学气相沉积炉内，炉体抽真空至10-3Pa； S2、炉体加热至反应温度后保温，同时将两种原料气体NH3和BCl3、或NH3和BF3通入炉体中，采用N2作为载气，反应方程式为：BCl3+NH3→BN+3HCl，或BF3+NH3→BN+3HF； S3、通气后温度维持在反应温度，持续保温生长； S4、生长完毕后，断电冷却，得到微米级厚度的氮化硼膜； S5、最后使用酒精浸泡的方法将氮化硼膜从碳化硅衬底上剥离，然后将氮化硼膜裁剪所需尺寸，并固定在镜面铝板上，制成氮化硼闪烁屏； 所述氮化硼闪烁屏的制备方法的步骤S2中，炉体加热至1500～1800℃的反应温度后保温，同时将两种原料气体NH3和BCl3、或NH3和BF3按1.2:1的体积比通入炉体中； 所述氮化硼闪烁屏的制备方法的步骤S3中，温度维持在1500～1800℃，持续保温120～180min。

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