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龙图腾网获悉杭州思睿达微电子有限公司申请的专利一种宽输入范围的低功耗快速响应预稳压电路、模拟芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119937702B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510036363.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种宽输入范围的低功耗快速响应预稳压电路、模拟芯片是由张永铂;过伟;何满杰设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽输入范围的低功耗快速响应预稳压电路、模拟芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽输入范围的低功耗快速响应预稳压电路、模拟芯片，包括：基准电流源用于产生第一和第二基准电压；电流比较器用于比较电流比较器中与第一预稳压输出电路连接的两个晶体管的驱动电流能力，在第一基准电压下根据比较结果产生第一控制电压；控制电路用于在第二基准电压下利用镜像晶体管对产生第二控制电压；第一预稳压输出电路用于在第一控制电压下产生随输入电源电压变化的输出电压；第二预稳压输出电路用于在第二控制电压下产生随输入电源电压变化的输出电压；第一预稳压输出电路中高压PMOS管和第二预稳压输出电路中高压NMOS管在随输入电源电压变化过程中必为一关断一导通状态。本发明电路具有宽输入范围、低功耗的特点。

本发明授权一种宽输入范围的低功耗快速响应预稳压电路、模拟芯片在权利要求书中公布了：1.一种宽输入范围的低功耗快速响应预稳压电路，其特征在于，所述预稳压电路包括基准电流源、电流比较器、控制电路、第一预稳压输出电路和第二预稳压输出电路，其中， 所述基准电流源，用于产生第一基准电压和第二基准电压；所述电流比较器，连接所述基准电流源，用于在输入电源电压小于或等于齐纳二极管击穿电压时，在所述第一基准电压作用下，比较电流比较器中与第一预稳压输出电路连接的低阈值PMOS管和高压NMOS管的驱动电流能力，根据比较结果产生第一控制电压；所述控制电路，连接所述基准电流源，用于在所述输入电源电压大于齐纳二极管击穿电压时，在所述第二基准电压作用下，利用镜像晶体管对产生第二控制电压；第一预稳压输出电路，用于在所述第一控制电压控制下，产生随所述输入电源电压变化的输出电压；其中，所述第一预稳压输出电路包括高压PMOS管MP1和第一负载电容，高压PMOS管MP1的栅极与所述电流比较器连接，高压PMOS管MP1的源极接输入电源电压的输入端，高压PMOS管MP1的漏极通过第一负载电容接地并作为输出电压的输出端；第二预稳压输出电路，用于在所述第二控制电压控制下，产生随所述输入电源电压变化的输出电压；其中，所述第二预稳压输出电路包括高压NMOS管MN1和第一负载电容，高压NMOS管MN1的栅极与所述控制电路连接，高压NMOS管MN1的漏极接输入电源电压的输入端，高压NMOS管MN1的源极通过第二负载电容接地并作为输出电压的输出端； 其中，高压NMOS管MN1和高压PMOS管MP1在随所述输入电源电压变化过程中必为一关断一导通状态。

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