北京超弦存储器研究院段晶晶获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构、半导体结构的制备方法以及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947079B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311450125.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构、半导体结构的制备方法以及电子设备是由段晶晶;王祥升设计研发完成，并于2023-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、半导体结构的制备方法以及电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构、半导体结构的制备方法以及电子设备。其中，半导体结构的制备方法包括：提供基底；于基底上形成第一电路，并于第一电路上形成导电互连结构，导电互连结构电连接第一电路；于导电互连结构上形成堆叠层，堆叠层包括交替堆叠的隔离层与导电层，且于堆叠层内形成贯穿隔离层与导电层的器件通孔；于器件通孔的孔壁依次形成沟道材料层、栅介质材料层以及第一字线材料层；形成贯穿器件通孔底部的第一字线材料层、栅介质材料层以及沟道材料层且延伸至导电互连结构的贯穿孔；于贯穿孔及其上方的器件通孔内形成第二字线层。本申请既能提高集成度，又能保证器件性能。
本发明授权半导体结构、半导体结构的制备方法以及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底； 于所述基底上形成第一电路，并于所述第一电路上形成导电互连结构，所述导电互连结构电连接所述第一电路； 于所述导电互连结构上形成堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的隔离层与导电层，且于所述堆叠层内形成贯穿所述隔离层与所述导电层的器件通孔，所述器件通孔与所述导电互连结构在基底上的正投影具有交叠； 于所述器件通孔的孔壁依次形成沟道材料层、栅介质材料层以及第一字线材料层； 形成贯穿所述器件通孔底部的所述第一字线材料层、所述栅介质材料层以及所述沟道材料层且延伸至所述导电互连结构的贯穿孔，剩余的所述第一字线材料层形成第一字线层，剩余的所述栅介质材料层形成栅介质层，剩余的所述沟道材料层形成沟道层； 于所述贯穿孔及所述器件通孔内的剩余空间形成第二字线层。
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