华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学戴江南获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学申请的专利半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120016278B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510135451.4，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权半导体激光器及其制备方法是由戴江南;梁振刚;吴峰;郑刚;彭洋;陈长清设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器，包括：衬底层；回音壁微腔，设置在衬底层一侧，回音壁微腔包括在衬底层上依次层叠设置的第一限制层、有源层以及第二限制层，有源层设置有沿垂直于衬底层方向的N个第一通孔，N为大于或者等于1的正整数，有源层在衬底层上的正投影区域的几何中心点为第一中心点，第一通孔在衬底层上的正投影区域的几何中心点为第二中心点，第一中心点与第二中心点互不重叠，且当N大或等于2时，任意两个第一通孔对应的第二中心点相对于第一中心点非对称设置；第一电极，与第一限制层欧姆接触；第二电极与第二限制层欧姆接触本申请提供的半导体激光器可实现激光单向出射。
本发明授权半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，其特征在于，包括： 衬底层； 回音壁微腔，设置在所述衬底层一侧，所述回音壁微腔包括在所述衬底层上依次层叠设置的第一限制层、有源层以及第二限制层，所述有源层设置有沿垂直于所述衬底层方向的N个第一通孔，N为大于或者等于1的正整数，所述有源层在所述衬底层上的正投影区域的几何中心点为第一中心点，所述第一通孔在所述衬底层上的正投影区域的几何中心点为第二中心点，所述第一中心点与所述第二中心点互不重叠，且当N大或等于2时，任意两个所述第一通孔对应的所述第二中心点相对于所述第一中心点非对称设置； 第一电极，设置于所述衬底层，并与所述第一限制层欧姆接触； 第二电极，设置于所述第二限制层的远离所述有源层的一侧，并与所述第二限制层欧姆接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学，其通讯地址为：436044 湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰大道特一号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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