华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学戴江南获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学申请的专利垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120016281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510147220.5，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法是由戴江南;赵永明;吴峰;郑刚;彭洋;陈长清设计研发完成，并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，方法包括：在第一衬底上依次形成第一外延层、牺牲层、第二外延层和第一DBR反射层，第二外延层至少包括有源层；对第一DBR反射层、第二外延层和牺牲层进行图形化处理；采用电化学刻蚀的方法，刻蚀掉图形化牺牲层，以将图形化第二外延层和图形化第一DBR反射层整体从第一外延层上剥离；将剥离后的图形化第一DBR反射层和图形化第二外延层与第二衬底键合；在图形化第二外延层的远离图形化第一DBR反射层的一侧形成图形化第二DBR反射层，以得到VCSEL。通过设置牺牲层配合电化学刻蚀，可以提高剥离的外延层表面的光滑度，从而提高VCSEL的发光效率和稳定性。
本发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在第一衬底上依次形成第一外延层、牺牲层、第二外延层和第一DBR反射层，所述第二外延层至少包括有源层； 对所述第一DBR反射层、所述第二外延层和所述牺牲层进行图形化处理，以在所述第一外延层的远离所述第一衬底一侧形成至少一个图形化结构，所述图形化结构包括图形化牺牲层、图形化第二外延层和图形化第一DBR反射层； 采用电化学刻蚀的方法，刻蚀掉所述图形化结构中的所述图形化牺牲层，以将所述图形化第二外延层和所述图形化第一DBR反射层整体从所述第一外延层上剥离； 将剥离后的所述图形化第一DBR反射层和所述图形化第二外延层与第二衬底键合，所述图形化第一DBR反射层位于所述图形化第二外延层和所述第二衬底之间； 在所述图形化第二外延层的远离所述图形化第一DBR反射层的一侧形成图形化第二DBR反射层，以得到所述垂直腔面发射激光器。
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