上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司郑海峰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利一种薄膜成膜初始方阻量测方法、系统、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120044307B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311596075.6，技术领域涉及：G01R27/02；该发明授权一种薄膜成膜初始方阻量测方法、系统、设备及存储介质是由郑海峰;胡彬彬设计研发完成，并于2023-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜成膜初始方阻量测方法、系统、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种薄膜成膜初始方阻量测方法、系统、设备及存储介质，属于电阻测量技术领域，该方法包括：建立薄膜的初始方阻、成膜时刻到量测时刻的间隔时间和量测时刻的方阻量测值的理论关系式；获取待测薄膜的成膜时刻到预设量测时刻的间隔时间和预设量测时刻的方阻量测值；根据成膜时刻到预设量测时刻的间隔时间、预设量测时刻的方阻量测值和理论关系式，确定待测薄膜的理论初始方阻值。本申请建立了薄膜的初始方阻、成膜时刻到量测时刻的间隔时间和量测时刻的方阻量测值的理论关系式，基于该理论关系式，通过获取成膜后的方阻量测值和对应的成膜时刻到量测时刻的间隔时间，就可得出初始方阻，因此可降低量测时间对薄膜方阻量测结果的影响。
本发明授权一种薄膜成膜初始方阻量测方法、系统、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种薄膜成膜初始方阻量测方法，其特征在于，包括： 建立薄膜的初始方阻、成膜时刻到量测时刻的间隔时间和所述量测时刻的方阻量测值的理论关系式； 获取待测薄膜的所述成膜时刻到预设量测时刻的所述间隔时间和所述预设量测时刻的所述方阻量测值； 根据所述成膜时刻到所述预设量测时刻的所述间隔时间、所述预设量测时刻的所述方阻量测值和所述理论关系式，确定所述待测薄膜的理论初始方阻值。
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