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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利存储器及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076306B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311603723.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器及其制备方法、电子设备是由董树成;田超;张鑫;平延磊设计研发完成，并于2023-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种存储器及其制备方法、电子设备。该存储器包括衬底；多个存储单元沿垂直衬底的方向堆叠设置于衬底上；存储单元包括读晶体管及写晶体管；读晶体管包括第一栅极、第一半导体层及存储栅极，写晶体管包括第二栅极及第二半导体层；读字线位于衬底上，读晶体管的第一栅极为读字线的一部分；写字线位于衬底上，写晶体管的第二栅极为写字线的一部分；位线包括相连接的第一部分和第二部分；位线的第一部分设置于第一栅极远离写晶体管的一侧，且与第一半导体层相连接；位线的第二部分设置于第二半导体层远离读晶体管的一侧，且与第二半导体层相连接。该存储器具有较高的存储性能及使用可靠性。

本发明授权存储器及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 衬底； 多个存储单元；多个所述存储单元沿垂直所述衬底的方向堆叠设置于所述衬底上；所述存储单元包括读晶体管及写晶体管，同一所述存储单元中的所述读晶体管和所述写晶体管在平行于所述衬底的方向间隔分布；所述读晶体管包括第一栅极、第一半导体层及存储栅极，所述写晶体管包括第二栅极及第二半导体层； 读字线，位于所述衬底上，且沿垂直所述衬底的方向延伸；所述读晶体管的所述第一栅极为所述读字线的一部分； 写字线，位于所述衬底上，且与所述读字线间隔分布，所述写字线沿垂直所述衬底的方向延伸；所述写晶体管的所述第二栅极为所述写字线的一部分； 位线，包括相连接的第一部分和第二部分；所述位线的第一部分设置于所述第一栅极远离所述写晶体管的一侧，且与所述第一半导体层相连接；所述位线的第二部分设置于所述第二半导体层远离所述读晶体管的一侧，且与所述第二半导体层相连接； 其中，所述存储栅极位于所述第一半导体层背离所述第一栅极的一侧。

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