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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076314B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311633534.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法、存储器是由李辉辉;孟皓设计研发完成，并于2023-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，半导体结构包括有源层、第一栅介质层、第一字线结构、第二栅介质层、第二字线结构、位线结构、公共电极、介电层以及导电接触层，有源层包括至少部分不同线的第一沟道区、第二沟道区、源极区、第一漏极区以及第二漏极区，第一栅介质层至少覆盖第一沟道区的部分表面；第一字线结构覆盖第一栅介质层且沿第一方向延伸；第二栅介质层至少覆盖第二沟道区的部分表面；第二字线结构覆盖第二栅介质层且沿第一方向延伸；位线结构与源极区电连接；在第二方向上，公共电极位于第一沟道区和第二沟道区之间；介电层至少包覆公共电极的外周；导电接触层覆盖介电层的表面，且与第二漏极区电连接。

本发明授权半导体结构及其形成方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 有源层，包括第一沟道区、第二沟道区、源极区、第一漏极区以及第二漏极区，所述第一沟道区和所述第二沟道区均沿第一方向延伸，且所述第一沟道区与所述第二沟道区沿第二方向间隔分布；所述第一方向与所述第二方向相交；所述第一漏极区与所述第一沟道区的一端部连接，所述第二漏极区与所述第二沟道区中靠近所述第一漏极区的端部连接；所述源极区连接于所述第一沟道区沿所述第一方向远离所述第一漏极区的端部和所述第二沟道区沿所述第一方向远离所述第二漏极区的端部之间，所述第一漏极区与所述第二漏极区绝缘设置； 第一栅介质层，至少覆盖所述第一沟道区的部分表面； 第一字线结构，覆盖所述第一栅介质层且沿所述第一方向延伸； 第二栅介质层，至少覆盖所述第二沟道区的部分表面； 第二字线结构，覆盖所述第二栅介质层且沿所述第一方向延伸； 位线结构，与所述源极区电连接； 公共电极，在所述第二方向上，所述公共电极位于所述第一沟道区和所述第二沟道区之间； 介电层，至少包覆所述公共电极的外周； 导电接触层，覆盖所述介电层的表面，且与所述第二漏极区电连接。

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