北京遥测技术研究所;西安电子科技大学李亚楠获国家专利权
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龙图腾网获悉北京遥测技术研究所;西安电子科技大学申请的专利一种KU频段双圆极化封装相控阵天线获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120089956B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510287391.8,技术领域涉及:H01Q21/00;该发明授权一种KU频段双圆极化封装相控阵天线是由李亚楠;梁若冰;封旭旭;彭琳琳;张静茹设计研发完成,并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种KU频段双圆极化封装相控阵天线在说明书摘要公布了:本发明提供一种KU频段双圆极化封装相控阵天线,包括n个天线单元,n为大于等于2的正整数;天线单元包括从上到下依次设置的第一介质板、第二介质板、第三介质板、第四介质板,连接在第一介质板上表面的第一金属辐射贴片,连接在第二介质板上表面的第二金属辐射贴片,连接在第三介质板上表面的金属地,连接在第一介质板上表面边缘的金属隔离带和连接在第四介质板上表面的金属电桥。本发明使用多层贴片形式将天线单元设计为双馈电双圆极化形式,通过封装技术减少射频连接器及射频电缆的使用,从而解决射频信号的损耗与差异过大问题,提高整阵的扫描特性;为实现阵列的宽扫描角特性,需要对天线进行小型化设计,减小阵元的单元间距。
本发明授权一种KU频段双圆极化封装相控阵天线在权利要求书中公布了:1.一种KU频段双圆极化封装相控阵天线,其特征在于:包括n个天线单元,n为大于等于2的正整数;所述天线单元包括从上到下依次设置的第一介质板1、第二介质板2、第三介质板3、第四介质板4,连接在所述第一介质板1上表面的第一金属辐射贴片5,连接在所述第二介质板2上表面的第二金属辐射贴片6,连接在所述第三介质板3上表面的金属地7,连接在所述第一介质板1上表面边缘的金属隔离带8,连接在所述第四介质板4上表面的金属电桥9,将所述第四介质板4与所述金属电桥9连接的第一金属过孔10,将所述金属隔离带8与所述第四介质板4连接的第二金属过孔11,将所述第二金属辐射贴片6与所述金属电桥9连接的第三金属过孔12,从所述第三介质板3向上开孔至所述第一介质板1顶部且中心与所述第一金属过孔10对齐的第一背钻孔13和贯穿所述第四介质板4且中心与所述第三金属过孔12中心对齐的第二背钻孔14; 所述第一金属辐射贴片5和所述第二金属辐射贴片6均位于所述天线单元的中心、组成双层堆栈微带天线并进行双圆极化辐射,所述金属隔离带8环绕所述第一金属辐射贴片5; 所述金属电桥9为带状线电桥、通过金属过孔与所述第二金属辐射贴片6连接、进行双圆极化的切换; 所述第一介质板1、所述第二介质板2、所述第三介质板3、和所述第四介质板4均通过半固态PP板压合连接; 所述第一金属过孔10将极化馈电引入所述第四介质板4下表面,所述第二金属过孔11均匀设置在所述金属隔离带8上并将所述金属隔离带8与所述第四介质板4相接。
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