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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种提升沟槽型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091584B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510500769.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种提升沟槽型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法是由廖远宝;徐海铭;唐新宇;徐政设计研发完成，并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升沟槽型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法，属于半导体功率器件技术领域。在trench型MOSFET工艺基础上，通过工艺优化增加器件产品的抗辐射性能，使之适应于太空中电离辐射的空间环境，提升器件产品高可靠性指标。本发明的要工艺特征有：阱区注入在沟槽刻蚀前，避免影响栅氧工艺；利用TC光刻实现深孔注入，提升在重离子辐射情况下体区抽取空穴的能力；栅沟槽底部进行局部氧化加厚，增加器件抗单粒子栅穿的能力；栅氧化工艺采用低温湿氧工艺，提升器件抗总剂量能力。本发明通过修改工艺步骤和工艺条件，实现加深孔注入增加抗单粒子烧毁能力，满足MOSFET器件抗辐射性能指标，满足航天领域的环境需求。

本发明授权一种提升沟槽型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种提升沟槽型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法，其特征在于，包括： 在硅外延片上生长第一氧化硅层，通过离子注入实现P阱，对P阱进行高温推结；再淀积第一氮化硅层； 在圆片上挖出沟槽结构，并对沟槽结构进行二氧化硅填充和研磨； 利用GT沟槽光刻和腐蚀工艺在圆片上需要作为栅沟槽的地方，刻蚀至硅外延片中，形成栅沟槽；其中，GT沟槽为：先刻蚀掉浅沟槽中氧化层，再进一步刻蚀掉硅，使沟槽加深，形成栅沟槽； 在栅沟槽中淀积一层氧化硅和氮化硅，刻蚀掉圆片表面和栅沟槽底部的氮化硅，在栅沟槽底部生长氧化硅，实现底部局部氧化加厚； 拔除栅沟槽侧壁的氮化硅层，控制氧化层湿法腐蚀时间，只保留栅沟槽底部加厚的氧化硅层； 利用低温湿氧工艺生长栅氧化，在栅沟槽中淀积原位多晶并通过栅多晶回刻工艺刻蚀掉圆片表面的多晶； 通过N+光刻和使用离子注入，实现源极注入并激活；在圆片表面淀积介质层并进行平坦化处理； 利用孔光刻，进行第一步介质孔腐蚀和硅孔腐蚀，利用孔注入把P型高浓度杂质注入到孔底硅表面，P型中等浓度掺杂注入到深体区域，通过快速退火方式进行热激活形成体区引出； 利用钨填充和研磨，实现接触孔金属引出；通过金属淀积，光刻和腐蚀，实现金属互联，完成整体器件。

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