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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种碳纳米管异质结器件的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091747B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510225924.X，技术领域涉及：H10K71/60；该发明授权一种碳纳米管异质结器件的制备方法及应用是由周文利;段煜扬;王雨瑶;王严浩;齐梦波设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳纳米管异质结器件的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳纳米管异质结器件的制备方法，包括：采用溅射和剥离工艺在含有二氧化硅的硅片衬底上制备预图形化的AuNi薄膜金属电极，其中电极间距为1.5～2μm，电极宽度和间距比为15～30；以及采用介电电泳技术在电极之间装配碳纳米管，其中碳纳米管与电极之间形成异质结节点阵列，硅片通过引线键合技术与外部转接板相连，其中外部转接板用于对异质结节点阵列输入和采集电信号。通过本发明制备的碳纳米管异质结器件用于储备池构建，提供高效的储备池计算，通过对碳纳米管异质结单节点进行掩膜扩展，实现拓扑可重构且物理实现复杂度极低的储备池，满足高复杂度任务的需求。

本发明授权一种碳纳米管异质结器件的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种基于碳纳米管异质结器件构建储备池的方法，其特征在于，包括： 选取碳纳米管异质结器件的异质结节点阵列中一个节点，并采集所述节点的输出信号；以及 生成掩膜矩阵，对采集的所述输出信号进行掩膜扩展，包括： 对每个时间步的所述输出信号进行掩膜扩展，具体包括将所述输出信号与所述掩膜矩阵的各列逐一相乘，并且按列进行拼接，得到掩膜扩展矩阵； 对所述掩膜扩展矩阵按照时间步重整，将所述输出信号映射到高维状态空间，构建储备池状态矩阵，完成储备池的构建，其中所述碳纳米管异质结器件采用下述方法制备： S1：采用溅射和剥离工艺在含有二氧化硅的硅片衬底上制备预图形化的AuNi薄膜金属电极，其中电极间距为1.5~2μm，电极宽度和间距比为15~30；以及 S2：采用介电电泳技术在所述电极之间装配碳纳米管，其中所述碳纳米管与所述电极之间形成异质结节点阵列，所述硅片通过引线键合技术与外部转接板相连，其中外部转接板用于对所述异质结节点阵列输入和采集电信号，其中所述步骤S2中还包括： 抽取原始半导体碳纳米管溶液烘干，取残留固体与乙醇混合并超声，获取碳纳米管溶液，其中原始半导体碳纳米管以甲苯为溶剂，聚[9-1-辛基壬基-9H-咔唑]为分散剂； 将磷钼酸颗粒与乙醇混合并超声处理，配置成预设浓度的磷钼酸溶液，其中所述磷钼酸溶液的预设浓度为250-400μgml； 取所述碳纳米管溶液与所述磷钼酸溶液混合超声获取磷钼酸修饰的碳纳米管溶液；以及 将探针分别置于所述AuNi薄膜电极两端，滴注所述磷钼酸修饰的碳纳米管溶液，信号发生器产生正弦交流电压信号通过所述探针对所述碳纳米管进行所述介电电泳操作。

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