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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种化合物半导体激光器的外延结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120109641B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510297765.4，技术领域涉及：H01S5/028；该发明授权一种化合物半导体激光器的外延结构是由阚宏柱;郑锦坚;杨力勋;钟志白;邓和清;寻飞林;刘紫涵;胡志勇;蔡鑫;陈婉君;蓝家彬;李晓琴;张江勇;李水清设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种化合物半导体激光器的外延结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种化合物半导体激光器的外延结构，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上限制层上方具有电子声子耦合层，所述电子声子耦合层包括第一电子声子耦合层、第二电子声子耦合层和第三电子声子耦合层。本发明产生电子与声子间的非局域效应，降低电子维度，增强电子声子耦合强度，增强有源层的耦合电荷，缩短载流子的迁移距离，加速电子传输，改善载流子注入均匀性，提升激光器的抗ESD能力和光功率及斜率效率，同时降低偶极偶极间相互作用，抑制非辐射复合激子对的湮灭，降低电子声子散射速率，产生强烈的电荷涨落，增强空穴的注入效率和界面导电性，降低激光器的电压和电阻。

本发明授权一种化合物半导体激光器的外延结构在权利要求书中公布了：1.一种化合物半导体激光器的外延结构，从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102、有源层103、上波导层104、上限制层105，其特征在于，所述上限制层105的上方具有电子声子耦合层106，所述电子声子耦合层106包括第一电子声子耦合层106a、第二电子声子耦合层106b和第三电子声子耦合层106c；所述电子声子耦合层106为GaN、InGaN、InN、AlInN、AlGaN、AlInGaN、AlN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、InGaAsN、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP、GaSb、InSb、InAs、InAsSb、AlGaSb、AlSb、InGaSb、AlGaAsSb、InGaAsSb、SiC、Ga2O3、BN、金刚石的任意一种或任意组合。

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