中国电子科技集团公司第五十八研究所张政楷获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利通过晶圆级工艺实现多计算芯片大尺寸高密度互连的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120127013B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510590488.6，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权通过晶圆级工艺实现多计算芯片大尺寸高密度互连的方法是由张政楷;王成迁;刘书利;王刚设计研发完成，并于2025-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过晶圆级工艺实现多计算芯片大尺寸高密度互连的方法在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路封装技术领域，特别涉及一种通过晶圆级工艺实现多计算芯片大尺寸高密度互连的方法。包括：在晶圆上旋涂临时键合胶；通过步进式光刻机完成正面再布线；布线层完成后，倒装电容、电阻、树脂通孔或硅通孔；使用树脂料进行塑封；对树脂料进行减薄，露出通孔；通过接触式曝光机完背面布线，实现多视场互连；在布线层表面键合聚酰亚胺薄膜；去除键合胶，分离玻璃晶圆；在单个视场的金属焊盘上贴装芯粒；使用树脂料进行塑封；去除聚酰亚胺薄膜，露出焊盘；完成植球并划片。通过步进式光刻机在玻璃晶圆上完成超高密度布线，满足智能计算芯片中计算与存储颗粒的超高带宽互连，解决了基板材料无法实现极细线宽线距再布线的难题。
本发明授权通过晶圆级工艺实现多计算芯片大尺寸高密度互连的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过晶圆级工艺实现多计算芯片大尺寸高密度互连的方法，其特征在于，包括： 通过步进式光刻机、接触式光刻机和垂直互连结构，以实现双面互连和大尺寸计算芯片封装集成； 其中，晶圆正面使用步进式光刻机实现计算芯粒和存储芯粒的超高密度互连，晶圆背面使用接触式光刻机实现多正面曝光视场互连； 所述垂直互连结构为TSV或TMV通孔。
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