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龙图腾网获悉深圳市鸿润芯电子有限公司申请的专利一种具有静电保护结构的MOS管芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129289B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510305534.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有静电保护结构的MOS管芯片是由黄毅;魏改红设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有静电保护结构的MOS管芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有静电保护结构的MOS管芯片，第一扩散区和第二扩散区形成PN超结提高反向击穿电压，第三注入区、第三外延层和第二外延层形成寄生NPN，第一注入区增大第三外延层的空穴导出路径，减小流入MOS管芯片的空穴数量，第一注入区使寄生NPN导通电阻减小和被开启难度增加，减少器件内出现大电流的可能性，增强了MOS管芯片的抗单粒子烧毁和静电保护能力。贯穿第三注入区延伸至部分第一扩散区和第二扩散区的沟槽、第四注入区作为屏蔽层、第一扩散区、第二扩散区和第四注入区共同耗尽使得电场分布更均匀，导通状态时超结的电荷补偿使得导通电阻下降，超结的电容特性和屏蔽层对栅漏电容的屏蔽作用，使得开关特性显著提高。

本发明授权一种具有静电保护结构的MOS管芯片在权利要求书中公布了：1.一种具有静电保护结构的MOS管芯片，其特征在于，所述MOS管芯片包括： 第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上表面的第一导电类型的第一外延层，以及交错形成在所述第一外延层上的第二导电类型的第一扩散区、第一导电类型的第二扩散区； 形成在所述第一扩散区上的第一导电类型的第二外延层和位于所述第二外延层上的第二导电类型的第三外延层、形成在所述第三外延层内的第二导电类型的第一注入区、位于所述第三外延层上的第二导电类型的第二注入区、以及与所述第二注入区连接的第一导电类型的第三注入区； 贯穿所述第三注入区延伸至部分所述第一扩散区和所述第二扩散区上的沟槽、形成在所述沟槽底部的第二导电类型的第四注入区； 形成在所述第四注入区上并位于所述沟槽侧壁的第一氧化层、形成在所述沟槽内的多晶硅层、位于所述第一氧化层、部分所述第三注入区和所述多晶硅层上的第三氧化层； 形成在部分所述第三注入区、所述第一氧化层和所述多晶硅层上的第二氧化层； 形成在所述第二注入区、所述第三注入区和所述第二氧化层上的第一金属层以及位于所述衬底下表面的第二金属层。

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