北京超弦存储器研究院王海玲获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制作方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129304B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311653202.1，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权半导体结构及其制作方法、电子设备是由王海玲;戴瑾;王祥升;刘晓萌;宋艳鹏;王桂磊;赵超设计研发完成，并于2023-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制作方法、电子设备，半导体结构包括：衬底；字线，字线设置在衬底上，沿垂直于衬底的方向延伸；沿垂直于衬底的方向设置的多层存储单元阵列，每层存储单元阵列包括沿第一方向排列的多个有源沟道，多个有源沟道沿字线的延伸方向间隔设置，有源沟道覆盖字线的部分周面；至少一个第一有源区，设置在有源沟道在第二方向的一侧，且与有源沟道连接；至少一个第二有源区，相对于至少一个第一有源区设置在有源沟道在第二方向的另一侧，且与有源沟道连接；沿第一方向，有源沟道的尺寸大于第一有源区的与有源沟道连接的部分的尺寸和第二有源区的与有源沟道连接的部分的尺寸中的至少一者，提高了半导体结构的良率和电性能。
本发明授权半导体结构及其制作方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 字线，所述字线设置在所述衬底上，沿垂直于所述衬底的方向延伸； 沿垂直于所述衬底的方向设置的多层存储单元阵列，每层所述存储单元阵列包括沿第一方向排列的多个有源沟道；多个所述有源沟道沿所述字线的延伸方向间隔设置，所述有源沟道覆盖所述字线的部分周面； 至少一个第一有源区，设置在所述有源沟道在第二方向的一侧，且与所述有源沟道连接，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述衬底，且所述第一方向和所述第二方向相交； 至少一个第二有源区，相对于至少一个所述第一有源区设置在所述有源沟道在所述第二方向的另一侧，且与所述有源沟道连接； 沿所述第一方向，所述有源沟道的尺寸大于所述第一有源区的与所述有源沟道连接的部分的尺寸和所述第二有源区的与所述有源沟道连接的部分的尺寸中的至少一者。
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