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龙图腾网获悉深圳市力生美半导体股份有限公司申请的专利碳化硅MOS驱动控制芯片过流保护方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120150684B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510165239.2，技术领域涉及：H03K17/08；该发明授权碳化硅MOS驱动控制芯片过流保护方法及装置是由郑凌波;王叶梅;汤少鳞;王福龙设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅MOS驱动控制芯片过流保护方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅MOS驱动控制芯片过流保护方法及装置，该方法包括：通过在源极采样电阻设置正向采样通道和反向采样通道，为不同采样通道设置差异化的采样时间窗口，通过对双采样通道的时间窗口进行错峰设置，可避开共模干扰最强的时间段；同时，通过将碳化硅MOS器件的开关速度映射为理论共模干扰波形，利用该波形与双向采样信号进行合成处理，可准确分离出采样信号中的共模干扰分量，使得合成后的电流信号更加准确；在此基础上，结合结温变化导致的导通电阻变化对电流信号进行补偿，并采用分级保护策略进行过流保护。本方法通过采样通道时间上的错峰设计和基于开关速度的共模干扰分离，有效克服了共模干扰对电流采样的影响。

本发明授权碳化硅MOS驱动控制芯片过流保护方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOS驱动控制芯片过流保护方法，其特征在于，所述碳化硅MOS驱动控制芯片过流保护方法包括： 对碳化硅MOS器件源极采样电阻设置正向采样通道和反向采样通道，并在驱动控制芯片驱动碳化硅MOS器件的过程中，检测碳化硅MOS器件的栅源电压变化过程，确定米勒平台的持续时间；将正向采样通道的采样时间窗口设置为所述米勒平台的持续时间的三分之一，且采样起始时间位于栅极电压开始上升的时刻；将反向采样通道的采样时间窗口设置为所述米勒平台的持续时间的二分之一，且采样起始时间位于米勒平台结束后的栅极电压下降阶段；对所述正向采样通道和反向采样通道设置与驱动控制芯片栅极驱动信号同步的采样频率，分别采集源极电流信号的上升沿信息和下降沿信息，得到双向采样信号； 根据碳化硅MOS器件的开关速度计算理论共模干扰波形，并将所述理论共模干扰波形与所述双向采样信号进行相关性分析，得到相关性分析值；根据所述相关性分析值计算所述双向采样信号中的正向采样信号和反向采样信号的权重系数；根据所述权重系数对所述双向采样信号进行加权合成，得到合成电流信号； 检测碳化硅MOS器件的结温变化，根据所述结温变化获得导通电阻变化值，并根据所述导通电阻变化值对所述合成电流信号进行补偿，得到补偿电流信号； 将所述补偿电流信号与预设的快速响应阈值进行比较，根据比较结果确定补偿电流信号在所述快速响应阈值预设的接近范围的持续时间，并根据所述比较结果和持续时间选择对应的分级过流保护策略进行过流保护。

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