北京超弦存储器研究院吕浩昌获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制造方法、存储器、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152274B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311712300.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法、存储器、电子设备是由吕浩昌;罗杰;侯霖杰设计研发完成，并于2023-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法、存储器、电子设备在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制造方法、存储器、电子设备。该半导体结构的制造方法包括：提供衬底，于衬底的一侧形成叠层结构；叠层结构包括：沿垂直衬底方向堆叠的多个目标材料层，以及位于任相邻两个目标材料层之间的支撑材料层；沿垂直衬底方向刻蚀叠层结构，形成沿第一方向延伸的刻蚀沟槽；于刻蚀沟槽内形成牺牲材料层；对形成牺牲材料层之后的所得结构循环执行多次目标工艺，以使各目标材料层的保留部分对应形成第一台阶，且多个第一台阶沿第二方向排布为阶梯结构；第二方向与第一方向相交。本公开有利于实现阶梯结构的高效制造。
本发明授权半导体结构及其制造方法、存储器、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，于衬底的一侧形成叠层结构；所述叠层结构包括：沿垂直衬底方向堆叠的多个目标材料层，以及位于任相邻两个所述目标材料层之间的支撑材料层； 沿垂直衬底方向刻蚀所述叠层结构，形成沿第一方向延伸的刻蚀沟槽； 于所述刻蚀沟槽内形成牺牲材料层； 对形成所述牺牲材料层之后的所得结构循环执行多次目标工艺，以使各所述目标材料层的保留部分对应形成第一台阶，且多个所述第一台阶沿第二方向排布为阶梯结构；所述第二方向与所述第一方向相交； 其中，一次所述目标工艺包括： 沿垂直衬底方向刻蚀去除目标高度的所述牺牲材料层，暴露出目标层的所述目标材料层的侧壁； 沿平行衬底方向刻蚀目标层的所述目标材料层，并同步自上而下沿平行衬底方向刻蚀暴露于目标层背离所述衬底一侧的各所述目标材料层。
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